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资料编号:547898
 
资料名称:PHT1N60R
 
文件大小: 30.34K
   
说明
 
介绍:
PowerMOS transistor
 
 


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飞利浦 半导体 目标 规格
powermos 晶体管 PHT1N60R
定义
数据 薄板 状态
目标 规格 这个 数据 薄板 包含 目标 或者 goal 规格 为 产品 开发.
初步的 规格 这个 数据 薄板 包含 初步的 数据; supplementary 数据 将 是 发行 后来的.
产品 规格 这个 数据 薄板 包含 最终 产品 规格.
限制的 值
限制的 值 是 给 在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 134). 压力 在之上 一个
或者 更多 的 这 限制的 值 将 导致 永久的 损坏 至 这 设备. 这些 是 压力 比率 仅有的 和
运作 的 这 设备 在 这些 或者 在 任何 其它 情况 在之上 那些 给 在 这 特性 sections 的
这个 规格 是 不 暗指. 暴露 至 限制的 值 为 扩展 时期 将 影响 设备 可靠性.
应用 信息
在哪里 应用 信息 是 给, 它 是 advisory 和 做 不 表格 部分 的 这 规格.
飞利浦 electronics n.v. 1998
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trial 或者 智力的 所有物 权利.
生命 支持 产品
这些 产品 是 不 设计 为 使用 在 生命 支持 器具, 设备 或者 系统 在哪里 运转 的 这些
产品 能 是 合理地 预期的 至 结果 在 个人的 伤害. 飞利浦 客户 使用 或者 卖 这些 产品
为 使用 在 此类 产品 做 所以 在 它们的 自己的 风险 和 同意 至 全部地 赔偿 飞利浦 为 任何 损坏 结果
从 此类 improper 使用 或者 出售.
二月 1998 5 rev 1.000
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