Silan
半导体
SC451XX
HANGZHOU SILAN 微电子学 joint-储备 co.,有限公司
rev: 1.0 2000.12.31
2
绝对 最大 比率
典型的 标识 值 单位
供应 电压 V
DD
0.3 ~ 12 V
v- V
DD
-18~v
DD
+0.3 V
输入 电压
V
CT
vss-0.3
~
V
DD
+0.3 V
V
COUT
V
DD
-18~v
DD
+0.3 V
输出 电压
V
DOUT
vss-0.3
~
V
DD
+0.3 V
电源 消耗 P
D
150 mW
存储 温度 T
STG
-55 ~ +125
°
C
运行 温度 T
OPR
-40~+85
°
C
电的 特性
(tamb=25
°
c,
除非 否则 指定)
sc451xx-01
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
运行 电压 V
DD1
电压 定义 作 V
DD
-v
SS
1.5 10 V
最小值 运行 电压 为 0V
Charging
V
st
电压 定义 作 V
DD
-v-,
V
DD
-v
SS
=0V
1.2 V
在-承担 门槛 电压 V
DET1
发现 rising 边缘 的 供应
电压
4.20 4.25 4.30 V
在-承担 门槛 Hysteresis
范围
V
HYS1
0.15 0.2 0.25 V
输出 延迟 时间 的 在-承担 T
VDET1
c3=0.01
µ
f,v
DD
=3.6v
→
4.3v
50 75 100 ms
在-释放 门槛 电压 V
DET2
发现 下落 边缘 的 供应
电压
2.437 2.500 2.563 V
输出 延迟 时间 的 在-释放 T
VDET2
V
DD
=3.6v
→
2.4v
71013ms
Excess 电流 门槛 电压 V
DET3
发现 rising 边缘 的 “v-” 管脚
电压
0.17 0.20 0.23 V
输出 延迟 时间 的 Excess 电流 T
VDET3
V
DD
=3.0v 9 13 17 ms
短的 发现 电压 Vshort V
DD
=3.0v V
DD
-1.1 V
DD
-0.8 V
DD
-0.5 V
输出 延迟 时间 的 短的 发现 Tshort V
DD
=3.0v 5 50
µ
s
重置 阻抗 为 Excess 电流
保护
Rshort V
DD
=3.6v, v- =1.0 50 100 150
k
Ω
Nch 在 电压 的 COUT V
OL1
I
OL
=50
µ
一个,v
DD
=4.4v
0.2 0.5 V
Pch 在 电压 的 COUT V
OH1
I
OH
=-50
µ
一个,v
DD
=3.9v
3.4 3.8 V
Nch 在 电压 的 DOUT V
OL2
I
OL
=50
µ
一个,v
DD
=2.4v
0.2 0.5 V
Pch 在 电压 的 DOUT V
OH2
I
OH
=-50
µ
一个,v
DD
=3.9v
3.4 3.7 V
供应 电流 I
DD
V
DD
=3.9v,v- =0V 3.0 6.0
µ
一个
备用物品 电流 Istandby V
DD
=2.0v 0.3 0.6
µ
一个
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