Silan
半导体
SC451XX
HANGZHOU SILAN 微电子学 joint-储备 co.,有限公司
rev: 1.0 2000.12.31
4
函数的 描述
•
vd1/在-承担 探测器
这 VD1 monitors V
DD
管脚 电压. 当 这 V
DD
电压 crosses 在-承担 探测器 门槛 V
DET1
fromalowvaluetoavaluehigherthantheV
DET1
, 这 VD1 能 sense 在-charging 和 一个 外部 承担
控制 nch-mos-场效应晶体管 转变 至 “off” 和 C
输出
管脚 正在 在 “l”.
一个 输出 延迟 时间 为 在-charges 发现 能 是 设置 用 一个 外部 电容 C3 连接 这 V
SS
管脚 和 Ct 管脚. 这 外部 电容 能 制造 一个 延迟 时间 表格 一个 moment detecting 在-承担 至 一个 时间
输出 一个 信号 这个 使能 承担 控制 nch-mos-场效应晶体管 为 turning 至 “off”. Though 这 V
DD
电压 将 是
going 向上 至 一个 高等级的 水平的 比 V
DET1
如果 它 是 在里面 一个 时间 时期 的 这 输出 延迟 时间, VD1 将 不 输出 一个
信号 为 turning “off” 的 承担 控制 nch-mos-场效应晶体管. 这 输出 延迟 时间 能 是 计算 作 在下:
6
100.48
0.7)(vC3
DD
VDET1
t
−
×
−×
=
一个 水平的 shifter 组成公司的 在 一个 缓存区 驱动器 为 这 C
输出
管脚 制造 这 “L” 的 C
输出
管脚 至 这 v-管脚 电压
和 这 “H” 的 C
输出
管脚 是 设置 至 V
DD
电压 和 CMOS 缓存区.
•
重置 情况 从 overcharging 的 sc451xx-01
那里 能 是 二 具体情况 至 重置 这 VD1 制造 这 C
输出
管脚 水平的 至 “H” 又一次 之后 detecting 在-承担.
Resetting 这 V
D1
制造 这 charging 系统 准备好 为 resumption 的 charging 处理.
这 第一 情况 是 在 此类 情况 那 一个 时间 当 这 V
DD
电压 是 coming 向下 至 一个 水平的 更小的 比
“V
DET1
-v
HYS1
”. 当 在 这 第二 情况, disconnecting 一个 charger 从 这 电池 包装 能 制造 这 VD1
resetting 当 这 V
DD
水平的 是 在里面 hysteresis 宽度 (v
DET1
-v
HYS1
≤
V
DD
≤
V
DET1
).
之后 detecting 在-承担 和 这 V
DD
电压 的 高等级的 比 V
DET1
, 连接 系统 加载 至 这
电池 包装 制造 加载 电流 容许的 通过 parasitic 二极管 的 外部 承担 控制 nch-mos-场效应晶体管. 这
C
输出
水平的 将 是 “H” 当 这 V
DD
水平的 是 coming 向下 至 一个 水平的 在下 这 V
DET1
用 持续的 绘画 的
加载 电流.
•
重置 情况 从 overcharging 的 sc451xx-02
之后 detecting 在-承担, 这 V
D1
将 不 是 释放 和 C
输出
水平的 将 不 转变 至 “H” 又一次 和
这 例外 那 一个 cell 电压 reaches 至 一个 更小的 值 比 “V
DET1
-v
HYS1
” 用 自 释放 的 cell 或者 else.
之后 detecting 在-承担, 当 这 V
DD
水平的 stays 在 一个 值 高等级的 比 “V
DET1
-v
HYS1
”, 至 连接 电池
包装 至 一个 系统 加载 制造 电池 包装 正在 使不能运转 在 为 charging 或者 discharging 因为 的 excess 电流
探测器 运作 正在 D
输出
”l”.
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