Silan
半导体
SC451XX
HANGZHOU SILAN 微电子学 joint-储备 co.,有限公司
rev: 1.0 2000.12.31
3
sc451xx-02
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
运行 电压 V
DD1
电压 定义 作 V
DD
-v
SS
1.5 10 V
最小值 运行 电压 为 0V
Charging
V
st
电压 定义 作 V
DD
-v-,
V
DD
-v
SS
=0V
1.2 V
在-承担 门槛 电压 V
DET1
发现 rising 边缘 的 供应
电压
4.30 4.35 4.40 V
在-承担 门槛 Hysteresis
范围
V
HYS1
0.15 0.2 0.25 V
输出 延迟 时间 的 在-承担 T
VDET1
c3=0.01
µ
f,v
DD
=3.6v
→
4.3v 55 80 105 ms
在-释放 门槛 电压 V
DET2
发现 下落 边缘 的 供应
电压
2.437 2.500 2.563 V
输出 延迟 时间 的 在-释放 T
VDET2
V
DD
=3.6v
→
2.4v 7 10 13 ms
Excess 电流 门槛 电压 V
DET3
发现 rising 边缘 的 “v-” 管脚
电压
0.17 0.20 0.23 V
输出 延迟 时间 的 Excess 电流 T
VDET3
V
DD
=3.0v 9 13 17 ms
短的 发现 电压 Vshort V
DD
=3.0v V
DD
-1.1 V
DD
-0.8 V
DD
-0.5 V
输出 延迟 时间 的 短的 发现 Tshort V
DD
=3.0v 5 50
µ
s
重置 阻抗 为 Excess 电流
保护
Rshort V
DD
=3.6v, v- =1.0 50 100 150 k
Ω
Nch 在 电压 的 C
输出
V
OL1
I
OL
=50
µ
一个, V
DD
=4.4v 0.2 0.5 V
Pch 在 电压 的 C
输出
V
OH1
I
OH
=-50
µ
一个, V
DD
=3.9v 3.4 3.8 V
Nch 在 电压 的 D
输出
V
OL2
I
OL
=50
µ
一个, V
DD
=2.4v 0.2 0.5 V
Pch 在 电压 的 D
输出
V
OH2
I
OH
=-50
µ
一个, V
DD
=3.9v 3.4 3.7 V
供应 电流 I
DD
V
DD
=3.9v, v- =0V 3.0 6.0
µ
一个
备用物品 电流 Istandby V
DD
=2.0v 0.3 0.6
µ
一个
管脚 描述
管脚 非. 标识 描述
1C
输出
输出 的 在-承担 发现, CMOS 输出
2C
T
管脚 为 外部 电容 设置 输出 延迟 的 VD1
3V
SS
地面
4D
输出
输出 的 在-释放 发现, CMOS 输出
5V
DD
电源 供应
6 v- 管脚 为 charger 负的 输入
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