sgh40n60ufd rev. a1
SGH40N60UFD
©2002 仙童 半导体 公司
电的 特性 的 这 igbt
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
电的 特性 的 二极管
T
C
= 25
°
c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
CES
集电级-发射级 损坏 电压 V
GE
= 0v, i
C
= 250ua 600 -- -- V
∆
B
VCES
/
∆
T
J
温度 系数 的 损坏
电压
V
GE
= 0v, i
C
= 1ma -- 0.6 -- v/
°
C
I
CES
集电级 截-止 电流 V
CE
= v
CES
, v
GE
= 0v -- -- 250 uA
I
GES
g-e 泄漏 电流 V
GE
= v
GES
, v
CE
= 0v -- -- ± 100 nA
在 特性
V
ge(th)
g-e 门槛 电压 I
C
= 20ma, v
CE
= v
GE
3.5 4.5 6.5 V
V
ce(sat)
集电级 至 发射级
饱和 电压
I
C
= 20a
,
V
GE
= 15v
-- 2.1 2.6 V
I
C
= 40a
,
V
GE
= 15v
-- 2.6 -- V
动态 特性
C
ies
输入 电容
V
CE
= 30v
,
V
GE
= 0v,
f = 1mhz
-- 1430 -- pF
C
oes
输出 电容 -- 170 -- pF
C
res
反转 转移 电容 -- 50 -- pF
切换 特性
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 300 v, i
C
= 20a,
R
G
= 10
Ω
, v
GE
= 15v,
inductive 加载, t
C
= 25
°
C
-- 15 -- ns
t
r
上升 时间 -- 30 -- ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 65 130 ns
t
f
下降 时间 -- 50 150 ns
E
在
转变-在 切换 丧失 -- 160 -- uJ
E
止
转变-止 切换 丧失 -- 200 -- uJ
E
ts
总的 切换 丧失 -- 360 600 uJ
t
d(在)
转变-在 延迟 时间
V
CC
= 300 v, i
C
= 20a,
R
G
= 10
Ω
, v
GE
= 15v
,
inductive 加载, t
C
= 125
°
C
-- 30 -- ns
t
r
上升 时间 -- 37 -- ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 -- 110 200 ns
t
f
下降 时间 -- 144 250 ns
E
在
转变
-
在 切换 丧失 -- 310 -- uJ
E
止
转变
-
止 切换 丧失 -- 430 -- uJ
E
ts
总的 切换 丧失 -- 740 1200 uJ
Q
g
总的 门 承担
V
CE
= 300 v, i
C
= 20a,
V
GE
= 15v
-- 97 150 nC
Q
ge
门-发射级 承担 -- 20 30 nC
Q
gc
门-集电级 承担 -- 25 40 nC
L
e
内部的 发射级 电感 量过的 5mm 从 pkg -- 14 -- nH
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
FM
二极管 向前 电压 I
F
= 15a
T
C
= 25
°
C
-- 1.4 1.7
V
T
C
= 100
°
C
-- 1.3 --
t
rr
二极管 反转 恢复 时间
I
F
= 15a,
di/dt = 200a/美国
T
C
= 25
°
C
-- 42 60
ns
T
C
= 100
°
C
-- 74 --
I
rr
二极管 顶峰 反转 恢复
电流
T
C
= 25
°
C
-- 4.5 6.0
一个
T
C
= 100
°
C
-- 6.5 --
Q
rr
二极管 反转 恢复 承担
T
C
= 25
°
C
-- 80 180
nC
T
C
= 100
°
C
-- 220 --
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