SGH40N60UFD_集成电路资料查询网

sgh40n60ufd rev. a1
SGH40N60UFD
©2002 仙童 半导体 公司
100 1000
20
40
60
80
100
120
V
R
= 200v
I
F
= 15a
T
C
=   25
℃
T
C
= 100
℃
reverce 恢复 时间, t
rr
[ns]
di/dt  [a/us]
100 1000
1
10
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V
R
= 200v
I
F
= 15a
T
C
=   25
℃
T
C
= 100
℃
反转 恢复 电流, i
rr
[A]
di/dt  [a/us]
100 1000
0
200
400
600
800
V
R
= 200v
I
F
= 15a
T
C
=   25
℃
T
C
= 100
℃
贮存 恢复 承担, q
rr
[nC]
di/dt [a/us]
1
10
100
0123
T
C
=   25
℃
T
C
= 100
℃
向前 电压 漏出, v
F
[V]
向前 电流,  i
F
[A]
图 19. 反转 恢复 电流图 18. 向前 特性
图 20. 贮存 承担 图 21. 反转 恢复 时间

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sgh40n60ufd rev. a1 SGH40N60UFD ©2002 仙童半导体公司 100 1000 20 40 60 80 100 120 V R = 200v I F = 15a T C = 25 ℃ T C = 100 ℃ reverce 恢复时间, t rr [ns] di/dt [a/us] 100 1000 1 10 100 V R = 200v I F = 15a T C = 25 ℃ T C = 100 ℃ 反转恢复电流, i rr [A] di/dt [a/us] 100 1000 0 200 400 600 800 V R = 200v I F = 15a T C = 25 ℃ T C = 100 ℃ 贮存恢复承担, q rr [nC] di/dt [a/us] 1 10 100 0123 T C = 25 ℃ T C = 100 ℃ 向前电压漏出, v F [V] 向前电流, i F [A] 图 19. 反转恢复电流图 18. 向前特性图 20. 贮存承担图 21. 反转恢复时间

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