SGH40N60UFD_集成电路资料查询网

sgh40n60ufd rev. a1
SGH40N60UFD
©2002 仙童 半导体 公司
0 4 8 12 16 20
0
4
8
12
16
20
一般 发射级
T
C
= 125
℃
40A
20A
I
C
= 10a
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
门 - 发射级 电压, v
GE
[V]
048121620
0
4
8
12
16
20
一般 发射级
T
C
= 25
℃
40A
20A
I
C
= 10a
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
门 - 发射级 电压, v
GE
[V]
0
5
10
15
20
25
30
0.1 1 10 100 1000
职责 循环 : 50%
T
C
= 100
℃
电源 消耗 = 32w
V
CC
= 300v
加载 电流 : 顶峰 的 正方形的 波
频率 [khz]
加载 电流  [a]
0306090120150
0
1
2
3
4
40A
20A
I
C
= 10a
一般 发射级
V
GE
= 15v
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
情况 温度, t
C
[
℃
]
0.5 1 10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
一般 发射级
V
GE
= 15v
T
C
=   25
℃
 
T
C
= 125
℃
 
集电级 电流, i
C
[A]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
02468
0
40
80
120
160
20V
12V
15V
V
GE
= 10v
一般 发射级
T
C
= 25
℃
集电级 电流, i
C
[A]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
图 1. 典型 输出 特性 图 2. 典型 饱和 电压
特性
图 3. 饱和 电压 vs. 情况
温度 在 variant 电流 水平的
图 4. 加载 电流 vs. 频率
图 5. 饱和 电压 vs. v
GE
 图 6. 饱和 电压 vs. v
GE

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sgh40n60ufd rev. a1 SGH40N60UFD ©2002 仙童半导体公司 0 4 8 12 16 20 0 4 8 12 16 20 一般发射级 T C = 125 ℃ 40A 20A I C = 10a 集电级 - 发射级电压, v CE [V] 门 - 发射级电压, v GE [V] 048121620 0 4 8 12 16 20 一般发射级 T C = 25 ℃ 40A 20A I C = 10a 集电级 - 发射级电压, v CE [V] 门 - 发射级电压, v GE [V] 0 5 10 15 20 25 30 0.1 1 10 100 1000 职责循环 : 50% T C = 100 ℃ 电源消耗 = 32w V CC = 300v 加载电流 : 顶峰的正方形的波频率 [khz] 加载电流 [a] 0306090120150 0 1 2 3 4 40A 20A I C = 10a 一般发射级 V GE = 15v 集电级 - 发射级电压, v CE [V] 情况温度, t C [ ℃ ] 0.5 1 10 0 10 20 30 40 50 60 70 80 一般发射级 V GE = 15v T C = 25 ℃ T C = 125 ℃ 集电级电流, i C [A] 集电级 - 发射级电压, v CE [V] 02468 0 40 80 120 160 20V 12V 15V V GE = 10v 一般发射级 T C = 25 ℃ 集电级电流, i C [A] 集电级 - 发射级电压, v CE [V] 图 1. 典型输出特性图 2. 典型饱和电压特性图 3. 饱和电压 vs. 情况温度在 variant 电流水平的图 4. 加载电流 vs. 频率图 5. 饱和电压 vs. v GE 图 6. 饱和电压 vs. v GE

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