SGH40N60UFD_集成电路资料查询网

sgh40n60ufd rev. a1
SGH40N60UFD
©2002 仙童 半导体 公司
0306090120
0
3
6
9
12
15
300 v
200 v
V
CC
= 100 v
一般 发射级
R
L
= 15
Ω
T
C
= 25
℃
门 - 发射级 电压,  v
GE
[ v ]
门 承担,  q
g
[ nc ]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
1e-3
0.01
0.1
1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
热的 回馈, zthjc [
℃
/w]
rectangular 脉冲波 持续时间 [sec]
1 10 100 1000
0.1
1
10
100
500
safe 运行 范围
V
GE
=20v, t
C
=100
o
C
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]
0.3 1 10 100 1000
0.1
1
10
100
500
单独的 nonrepetitive
脉冲波 t
C
= 25
℃
曲线 必须 是 derated
成直线地 和 增加
在 温度
50us
100us
1
㎳
直流 运作
I
C
最大值 (持续的)
I
C
最大值 (搏动)
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]
10 15 20 25 30 35 40
10
100
1000
3000
Eoff
Eon
Eon
Eoff
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
R
G
= 10
Ω
T
C
=   25
℃
 
T
C
= 125
℃
切换 丧失 [uj]
集电级 电流, i
C
[A]
图 14. 门 承担 特性
图 15. soa 特性
图 16. 转变-止 soa 特性
图 13. 切换 丧失 vs. 集电级 电流
Pdm
t1
t2
职责 因素 d = t1 / t2
顶峰 tj = pdm
×
zthjc + t
C
图 17. 瞬时 热的 阻抗 的 igbt

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sgh40n60ufd rev. a1 SGH40N60UFD ©2002 仙童半导体公司 0306090120 0 3 6 9 12 15 300 v 200 v V CC = 100 v 一般发射级 R L = 15 Ω T C = 25 ℃ 门 - 发射级电压, v GE [ v ] 门承担, q g [ nc ] 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 1e-3 0.01 0.1 1 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 单独的脉冲波热的回馈, zthjc [ ℃ /w] rectangular 脉冲波持续时间 [sec] 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 500 safe 运行范围 V GE =20v, t C =100 o C 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V] 0.3 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 500 单独的 nonrepetitive 脉冲波 t C = 25 ℃ 曲线必须是 derated 成直线地和增加在温度 50us 100us 1 ㎳直流运作 I C 最大值 (持续的) I C 最大值 (搏动) 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V] 10 15 20 25 30 35 40 10 100 1000 3000 Eoff Eon Eon Eoff 一般发射级 V CC = 300v, v GE = ± 15V R G = 10 Ω T C = 25 ℃ T C = 125 ℃ 切换丧失 [uj] 集电级电流, i C [A] 图 14. 门承担特性图 15. soa 特性图 16. 转变-止 soa 特性图 13. 切换丧失 vs. 集电级电流 Pdm t1 t2 职责因素 d = t1 / t2 顶峰 tj = pdm × zthjc + t C 图 17. 瞬时热的阻抗的 igbt

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