©2001 仙童 半导体 公司 sgs10n60rufd rev. 一个
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图 1. 典型 输出 chacracteristics 图 2. 典型 饱和 电压
特性
图 3. 饱和 电压 vs. 情况
温度 在 variant 电流 水平的
图 4. 加载 电流 vs. 频率
图 5. 饱和 电压 vs. v
GE
图 6. 饱和 电压 vs. v
GE
02468
0
5
10
15
20
25
30
35
40
20V
12V
15V
V
GE
= 10v
一般 发射级
T
C
= 25
℃
集电级 电流, i
C
[A]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
110
0
5
10
15
20
25
30
一般 发射级
V
GE
= 15v
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
集电级 电流, i
C
[A]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
-50 0 50 100 150
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
20A
10A
I
C
= 5a
一般 发射级
V
GE
= 15v
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
情况 温度, t
C
[
℃
]
0 4 8 121620
0
4
8
12
16
20
一般 发射级
T
C
= 25
℃
20A
10A
I
C
= 5a
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
门 - 发射级 电压, v
GE
[V]
048121620
0
4
8
12
16
20
一般 发射级
T
C
= 125
℃
20A
10A
I
C
= 5a
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
门 - 发射级 电压, v
GE
[V]
0
2
4
6
8
10
12
14
16
0.1 1 10 100 1000
职责 循环 : 50%
T
C
= 100
℃
电源 消耗 = 15w
V
CC
= 300v
加载 电流 : 顶峰 的 正方形的 波
频率 [khz]
加载 电流 [a]
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