©2001 仙童 半导体 公司 sgs10n60rufd rev. 一个
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图 19. 反转 恢复 电流图 18. 向前 特性
图 20. 贮存 承担 图 21. 反转 恢复 时间
1
10
100
0123
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
向前 电压 漏出, v
FM
[V]
向前 电流, i
F
[A]
100 1000
1
10
100
V
R
= 200v
I
F
= 12a
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
反转 恢复 电流, i
rr
[A]
di/dt [a/us]
100 1000
0
100
200
300
400
500
600
V
R
= 200v
I
F
= 12a
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
贮存 恢复 承担, q
rr
[nC]
di/dt [a/us]
100 1000
0
20
40
60
80
100
V
R
=200V
I
F
=12A
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 100
℃
------
reverce 恢复 时间, t
rr
[ns]
di/dt [a/us]