SGS10N60RUFD_集成电路资料查询网

©2001 仙童 半导体 公司 sgs10n60rufd rev. 一个
SGS10N60RUFD
图 14. 门 承担 特性
图 15. soa 特性
图 16. 转变-止 soa 特性
图 17. 瞬时 热的 阻抗 的 igbt
图 13. 切换 丧失 vs. 集电级 电流
0102030
0
3
6
9
12
15
V
CC
= 100 v
200 v
300 v
一般 发射级
R
L
= 30
Ω
T
C
= 25
℃
门 - 发射级  电压,  v
GE
[ v ]
门 承担,  q
g
[ nc ]
1 10 100 1000
1
10
safe 运行 范围
V
GE
= 20v, t
C
= 100
℃
50
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]
5101520
100
1000
Eon
Eoff
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 20
Ω
T
C
=   25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
切换 丧失 [uj]
集电级 电流, i
C
[A]
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
0.01
0.1
1
10
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
热的 回馈, zthjc [
℃
/w]
rectangular 脉冲波 持续时间 [sec]
Pdm
t1
t2
职责 因素 d = t1 / t2
顶峰 tj = pdm
×
zthjc + t
C
0.1 1 10 100 1000
0.01
0.1
1
10
100
单独的 nonrepetitive
脉冲波 t
C
= 25
℃
曲线 必须 是 derated
成直线地 和 增加
在 温度
I
C
最大值 (持续的)
I
C
最大值 (搏动)
直流 运作
1
㎳
100us
50us
集电级 电流, i
C
[A]
集电级-发射级  电压, v
CE
[V]

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©2001 仙童半导体公司 sgs10n60rufd rev. 一个 SGS10N60RUFD 图 14. 门承担特性图 15. soa 特性图 16. 转变-止 soa 特性图 17. 瞬时热的阻抗的 igbt 图 13. 切换丧失 vs. 集电级电流 0102030 0 3 6 9 12 15 V CC = 100 v 200 v 300 v 一般发射级 R L = 30 Ω T C = 25 ℃ 门 - 发射级电压, v GE [ v ] 门承担, q g [ nc ] 1 10 100 1000 1 10 safe 运行范围 V GE = 20v, t C = 100 ℃ 50 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V] 5101520 100 1000 Eon Eoff 一般发射级 V GE = ± 15v, r G = 20 Ω T C = 25 ℃ ━━ T C = 125 ℃ ------ 切换丧失 [uj] 集电级电流, i C [A] 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 0.01 0.1 1 10 0.5 0.2 0.1 0.05 0.02 0.01 单独的脉冲波热的回馈, zthjc [ ℃ /w] rectangular 脉冲波持续时间 [sec] Pdm t1 t2 职责因素 d = t1 / t2 顶峰 tj = pdm × zthjc + t C 0.1 1 10 100 1000 0.01 0.1 1 10 100 单独的 nonrepetitive 脉冲波 t C = 25 ℃ 曲线必须是 derated 成直线地和增加在温度 I C 最大值 (持续的) I C 最大值 (搏动) 直流运作 1 ㎳ 100us 50us 集电级电流, i C [A] 集电级-发射级电压, v CE [V]

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