©2001 仙童 半导体 公司 sgs10n60rufd rev. 一个
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图 7. 电容 特性
图 8. 转变-在 特性 vs.
门 阻抗
图 9. 转变-止 特性 vs.
门 阻抗
图 10. 切换 丧失 vs. 门 阻抗
图 11. 转变-在 特性 vs.
集电级 电流
图 12. 转变-止 特性 vs.
集电级 电流
110
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
Cres
Coes
Cies
一般 发射级
V
GE
= 0v, f = 1mhz
T
C
= 25
℃
电容 [pf]
集电级 - 发射级 电压, v
CE
[V]
10 100
10
100
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 10a
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
Ton
Tr
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
10 100
100
1000
Eoff
Eon
Eoff
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 10a
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
切换 丧失 [uj]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
10 100
100
1000
Toff
Tf
Toff
Tf
一般 发射级
V
CC
= 300v, v
GE
=
±
15V
I
C
= 10a
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
切换 时间 [ns]
门 阻抗, r
G
[
Ω
]
6 8 10 12 14 16 18 20
10
100
Ton
Tr
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 20
Ω
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
6 8 10 12 14 16 18 20
100
1000
Tf
Toff
Toff
Tf
一般 发射级
V
GE
=
±
15v, r
G
= 20
Ω
T
C
= 25
℃
━━
T
C
= 125
℃
------
切换 时间 [ns]
集电级 电流, i
C
[A]
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