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资料编号:607671
 
资料名称:SI2323DS
 
文件大小: 42.4K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2323DS
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
2
文档 号码: 72024
s-22121
rev. b, 25-十一月-02
规格 (t
J
= 25
c 除非 否则 指出)
限制
参数 标识 测试 情况 最小值 Typ 最大值 单位
静态的
流-源 损坏 电压 V
(br)dss
V
GS
= 0 v, i
D
= -250
一个
-20
门-门槛 电压 V
gs(th)
V
DS
= v
GS
, i
D
= -250
一个
-0.40
-1.0
V
门-身体 泄漏 I
GSS
V
DS
= 0 v, v
GS
=
8 v
100 nA
V
DS
= -16 v, v
GS
= 0 v -1
零 门 电压 流 电流 I
DSS
V
DS
= -16 v, v
GS
= 0 v, t
J
= 55
C
-10
一个
在-状态 流 电流
一个
I
d(在)
V
DS
-5 v, v
GS
V
GS
= -4.5 v, i
D
流-源 在-阻抗
一个
r
ds(在)
V
GS
= -2.5 v, i
D
V
GS
= -1.8 v, i
D
向前 跨导
一个
g
fs
V
DS
= -5 v, i
D
二极管 向前 电压 V
SD
I
S
= -1.0 一个, v
GS
= 0 v 0.7 -1.2 V
动态
b
总的 门 承担 Q
g
12.5 19
门-源 承担 Q
gs
V
DS
= -10 v, v
GS
I
D
-4.7 一个
1.7
nC
门-流 承担 Q
gd
I
D
-4.7 一个
3.3
输入 电容 C
iss
1020
输出 电容 C
oss
V
DS
= -10 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz
191
pF
反转 转移 电容 C
rss
140
切换
c
t
d(在)
25 40
转变-在 时间
t
r
V
DD
= -10 v, r
L
= 10
43 65
t
d(止)
I
D
-1.0 一个, v
GEN
R
G
= 6
71 110
ns
转变-止 时间
t
f
48 75
注释
一个. 脉冲波 测试: pw
300
s 职责 循环
2%.
b. 为 设计 aid 仅有的, 不 主题 至 生产 测试.
c. 切换 时间 是 essentially 独立 的 运行 温度.
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