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TrenchFET
电源 场效应晶体管
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Si2323DS
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 72024
s-22121—rev. b, 25-十一月-02
www.vishay.com
1
p-频道 20-v (d-s) 场效应晶体管
产品 summary
V
DS
(v)
r
ds(在)
(
)
I
D
(一个)
0.039 @ v
GS
= -4.5 v -4.7
-20
0.052 @ v
GS
= -2.5 v - 4.1
0.068 @ v
GS
= -1.8 v - 3.5
G
S
D
顶 视图
2
3
至-236
(sot-23)
1
si2323ds (d3)*
*marking 代号
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25
c 除非 否则 指出)
参数 标识 5 秒 稳步的 状态 单位
流-源 电压 V
DS
-20
门-源 电压 V
GS
8
V
一个, b
T
一个
= 25
C
- 4.7
-3.7
持续的 流 电流
(t
J
= 150
c)
一个,
b
T
一个
= 70
C
I
D
-3.8 -2.9
搏动 流 电流 I
DM
-20
一个
持续的 源 电流 (二极管 传导)
一个,
b
I
S
-1.0 -0.6
T
一个
= 25
C
1.25 0.75
最大 电源 消耗
一个,
b
T
一个
= 70
C
P
D
0.8 0.48
W
运行 接合面 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
-55 至 150
C
热的 阻抗 比率
参数 标识 典型 最大 单位
t
5 秒 75 100
最大 接合面-至-包围的
一个
稳步的 状态
R
thJA
120 166
c/w
最大 接合面-至-foot (流) 稳步的 状态 R
thJF
40 50
c/w
注释
一个. 表面 挂载 在 1” x 1” fr4 板.
b. 脉冲波 宽度 限制 用 最大 接合面 温度.
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