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资料编号:607671
 
资料名称:SI2323DS
 
文件大小: 42.4K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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Si2323DS
vishay siliconix
新 产品
文档 号码: 72024
s-22121
rev. b, 25-十一月-02
www.vishay.com
3
典型 特性 (25
c 除非 指出)
0
300
600
900
1200
1500
1800
0 4 8 12 16 20
0
4
8
12
16
20
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
0 4 8 12 16 20
0
4
8
12
16
20
012345
0
1
2
3
4
5
03691215
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
1.1
1.2
1.3
1.4
1.5
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
V
GS
= 5 thru 2.5 v
25
C
C
rss
C
oss
C
iss
V
DS
= 6 v
I
D
= 4.7 一个
V
GS
= 4.5 v
I
D
= 4.7 一个
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 2.5 v
1 v
125
C
1.5 v
输出 特性 转移 特性
门 承担
在-阻抗 vs. 流 电流
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
- 流 电流 (一个)I
D
V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 流 电流 (一个)I
D
- 门-至-源 电压 (v)
Q
g
- 总的 门 承担 (nc)
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
c - 电容 (pf)
V
GS
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
I
D
- 流 电流 (一个)
电容
在-阻抗 vs. 接合面 温度
T
J
- 接合面 温度 (
c)
(normalized)
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
GS
= 1.8 v
2 v
T
C
= -55
C
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