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资料编号:607671
 
资料名称:SI2323DS
 
文件大小: 42.4K
   
说明
 
介绍:
P-Channel 20-V (D-S) MOSFET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
Si2323DS
vishay siliconix
新 产品
www.vishay.com
4
文档 号码: 72024
s-22121
rev. b, 25-十一月-02
典型 特性 (25
c 除非 指出)
-0.2
-0.1
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
I
D
= 140
一个
1.0 1.2
0.00
0.03
0.06
0.09
0.12
0.15
012345
0.1
10
20
I
D
= 4.7 一个
0.01
0
1
6
12
2
4
10 6000.1
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8
T
J
= 150
C
门槛 电压
variance (v)V
gs(th)
T
J
- 温度 (
c)
电源 (w)
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
单独的 脉冲波 电源
- 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
- 源-至-流 电压 (v) V
GS
- 门-至-源 电压 (v)
- 源 电流 (一个)I
S
时间 (秒)
8
10
100
T
一个
= 25
C
1
T
J
= 25
C
safe 运行 范围
V
DS
- 流-至-源 电压 (v)
100
1
0.1 1 10 100
0.01
10
T
一个
= 25
C
单独的 脉冲波
- 流 电流 (一个)I
D
p(t) = 10
直流
0.1
I
DM
限制
I
d(在)
限制
r
ds(在)
限制
BV
DSS
限制
p(t) = 1
p(t) = 0.1
p(t) = 0.01
p(t) = 0.001
p(t) = 0.0001
I
D
= 2 一个
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