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资料编号:620521
 
资料名称:SPI20N60C3
 
文件大小: 314.6K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS™ Power Transistor
 
 


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2003-10-08
页 10
spp20n60c3, spb20n60c3
spi20n60c3, spa20n60c3
最终 数据
21 avalanche 活力
E
=
f
(
T
j
)
par.:
I
D
= 10 一个,
V
DD
= 50 v
20 40 60 80 100 120
°C
160
T
j
0
50
100
150
200
250
300
350
400
450
500
550
600
mJ
750
E
23 avalanche 电源 losses
P
AR
=
f
(
f
)
参数:
E
AR
=1mJ
10
4
10
5
10
6
Hz
f
0
100
200
300
W
500
P
AR
22 流-源 损坏 电压
V
(br)dss
=
f
(
T
j
)
-60 -20 20 60 100
°C
180
T
j
540
560
580
600
620
640
660
680
V
720
SPP20N60C3
V
(br)dss
24 典型值 capacitances
C
=
f
(
V
DS
)
参数:
V
GS
=0v,
f
=1 mhz
0 100 200 300 400
V
600
V
DS
0
10
1
10
2
10
3
10
4
10
5
10
pF
C
Ciss
Coss
Crss
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