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资料编号:620521
 
资料名称:SPI20N60C3
 
文件大小: 314.6K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS™ Power Transistor
 
 


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2003-10-08
页 9
spp20n60c3, spb20n60c3
spi20n60c3, spa20n60c3
最终 数据
17 典型值 流 源 电压 斜度
d
v
/d
t
= f(
R
G
), inductive 加载,
T
j
= 125°c
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=20.7a
0 5 10 15 20 25 30
40
R
G
0
25
50
75
100
v/ns
150
d
v
/d
t
dv/dt(在)
dv/dt(止)
18 典型值 切换 losses
E
=
f
(
I
D
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
R
G
=3.6
0 3 6 9 12 15
一个
21
I
D
0
0.01
0.02
0.03
0.04
0.05
0.06
mWs
0.08
E
Eon*
Eoff
*) eon 包含 spd06s60 二极管
commutation losses
19 典型值 切换 losses
E
=
f
(
R
G
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=20.7a
0 5 10 15 20 25 30
40
R
G
0
0.05
0.1
0.15
0.2
0.25
0.3
mWs
0.4
E
Eon*
Eoff
*) eon 包含 spd06s60 二极管
commutation losses
20 avalanche soa
I
AR
=
f
(
t
AR
)
par.:
T
j
150 °c
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
µs
t
AR
0
5
10
一个
20
I
AR
tj(开始)=25°c
tj(开始)=125°c
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