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资料编号:620521
资料名称:
SPI20N60C3
文件大小: 314.6K
说明
:
介绍
:
Cool MOS Power Transistor
: 点此下载
3
4
5
6
7
8
9
10
11
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-10-08
页 7
spp20n60c3, spb20n60c3
spi20n60c3, spa20n60c3
最终 数据
9 典型值 流-源 在 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
I
D
)
参数:
T
j
=150°c,
V
GS
0
5
10
15
20
25
30
一个
40
I
D
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1
1.1
1.2
1.3
Ω
1.5
R
ds(在)
4V
4.5v
5V
5.5v
6V
6.5v
20V
10 流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
=
f
(
T
j
)
参数 :
I
D
= 13.1 一个,
V
GS
= 10 v
-60
-20
20
60
100
°C
180
T
j
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
Ω
1.1
SPP20N60C3
R
ds(在)
典型值
98%
11 典型值 转移 特性
I
D
=
f
(
V
GS
);
V
DS
≥
2 x
I
D
x
R
ds(在)最大值
参数:
t
p
= 10 µs
0
1
2
3
4
5
6
7
V
9
V
GS
0
10
20
30
40
50
60
一个
80
I
D
150°C
25°C
12 典型值 门 承担
V
GS
=
f
(
Q
门
)
参数:
I
D
= 20.7 一个 搏动
0
20
40
60
80
100
nC
140
Q
门
0
2
4
6
8
10
12
V
16
SPP20N60C3
V
GS
0,8
V
ds 最大值
ds 最大值
V
0,2
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