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资料编号:620521
 
资料名称:SPI20N60C3
 
文件大小: 314.6K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS™ Power Transistor
 
 


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2003-10-08
页 8
spp20n60c3, spb20n60c3
spi20n60c3, spa20n60c3
最终 数据
13 向前 特性 的 身体 二极管
I
F
=
f
(v
SD
)
参数:
T
j
, t
p
= 10 µs
0 0.4 0.8 1.2 1.6 2 2.4
V
3
V
SD
-1
10
0
10
1
10
2
10
一个
SPP20N60C3
I
F
T
j
= 25 °c 典型值
T
j
= 25 °c (98%)
T
j
= 150 °c 典型值
T
j
= 150 °c (98%)
14 典型值 切换 时间
t
=
f
(
I
D
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
R
G
=3.6
0 4 8 12 16
一个
24
I
D
0
10
1
10
2
10
ns
t
tr
td(止)
td(在)
tf
15 典型值 切换 时间
t
=
f
(
R
G
), inductive 加载,
T
j
=125°C
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=20.7 一个
0 5 10 15 20 25 30
40
R
G
0
10
1
10
2
10
3
10
ns
t
td(止)
td(在)
tr
tf
16 典型值 流 电流 斜度
d
i
/d
t
= f(
R
G
), inductive 加载,
T
j
= 125°c
par.:
V
DS
=380v,
V
GS
=0/+13v,
I
D
=20.7a
0 5 10 15 20 25 30
40
R
G
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
一个/µs
5000
d
i
/d
t
di/dt(在)
di/dt(止)
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