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资料编号:620521
 
资料名称:SPI20N60C3
 
文件大小: 314.6K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS™ Power Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2003-10-08
页 3
spp20n60c3, spb20n60c3
spi20n60c3, spa20n60c3
最终 数据
电的 特性
参数 标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
跨导
g
fs
V
DS
2*
I
D
*
R
ds(在)最大值
,
I
D
=13.1a
- 17.5 - S
输入 电容
C
iss
V
GS
=0v,
V
DS
=25v,
f
=1MHz
- 2400 - pF
输出 电容
C
oss
- 780 -
反转 转移 电容
C
rss
- 50 -
有效的 输出 电容,
5)
活力 related
C
o(er)
V
GS
=0v,
V
DS
=0v 至 480v
- 83 -
有效的 输出 电容,
6)
时间 related
C
o(tr)
- 160 -
转变-在 延迟 时间
t
d(在)
V
DD
=380v,
V
GS
=0/13v,
I
D
=20.7a,
R
G
=3.6
,
T
j
=125
- 10 - ns
上升 时间
t
r
V
DD
=380v,
V
GS
=0/13v,
I
D
=20.7a,
R
G
=3.6
- 5 -
转变-止 延迟 时间
t
d(止)
- 67 100
下降 时间
t
f
- 4.5 12
门 承担 特性
门 至 源 承担
Q
gs
V
DD
=480v,
I
D
=20.7a
- 11 - nC
门 至 流 承担
Q
gd
- 33 -
门 承担 总的
Q
g
V
DD
=480v,
I
D
=20.7a,
V
GS
=0 至 10v
- 87 114
门 plateau 电压
V
(plateau)
V
DD
=480v,
I
D
=20.7a
- 5.5 - V
1
限制 仅有的 用 最大 温度
2
repetitve avalanche 导致 额外的 电源 losses 那 能 是 计算 作
P
AV
=
E
AR
*
f
.
3
设备 在 40mm*40mm*1.5mm 环氧的 pcb fr4 和 6cm² (一个 layer, 70 µm 厚) 铜 范围 为 流
连接. pcb 是 vertical 没有 blown 空气.
4
焊接 温度 为 至-263: 220°c, 软熔焊接
5
C
o(er)
是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 贮存 活力 作
C
oss
V
DS
是 rising 从 0 至 80%
V
DSS
.
6
C
o(tr)
是 一个 fixed 电容 那 给 这 一样 charging 时间 作
C
oss
V
DS
是 rising 从 0 至 80%
V
DSS
.
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