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资料编号:620742
 
资料名称:SPP11N60S5
 
文件大小: 335.41K
   
说明
 
介绍:
Cool MOS⑩ Power Transistor
 
 


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2004-03-30rev. 2.1
页 2
spp11n60s5, spb11n60s5
SPI11N60S5
最大 比率
参数
标识 单位
流 源 电压 斜度
V
DS
= 480 v,
I
D
= 11 一个,
T
j
= 125 °c
d
v
/d
t
20 v/ns
热的 特性
参数
标识 单位
最小值 典型值 最大值
热的 阻抗, 接合面 - 情况
R
thJC
- - 1 k/w
热的 阻抗, 接合面 - 包围的, 含铅的
R
thJA
- - 62
smd 版本, 设备 在 pcb:
@ 最小值 footprint
@ 6 cm
2
冷却 范围
2)
R
thJA
-
-
-
35
62
-
焊接 温度,
1.6 mm (0.063 在.) 从 情况 为 10s
T
出售
- - 260 °C
电的 特性,
T
j=25°c 除非 否则 指定
参数
标识 情况 单位
最小值 典型值 最大值
流-源 损坏 电压
V
(br)dss
V
GS
=0v,
I
D
=0.25ma
600 - - V
流-源 avalanche
损坏 电压
V
(br)ds
V
GS
=0v,
I
D
=11A
- 700 -
门 门槛 电压
V
gs(th)
I
D
=500
µΑ
,
V
GS
=
V
DS
3.5 4.5 5.5
零 门 电压 流 电流
I
DSS
V
DS
=600v,
V
GS
=0v,
T
j
=25°c,
T
j
=150°C
-
-
-
-
25
250
µA
门-源 泄漏 电流
I
GSS
V
GS
=20v,
V
DS
=0V
- - 100 nA
流-源 在-状态 阻抗
R
ds(在)
V
GS
=10v,
I
D
=7a,
T
j
=25°C
T
j
=150°C
-
-
0.34
0.92
0.38
-
门 输入 阻抗
R
G
f
=1mhz, 打开 流
- 29 -
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