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资料编号:657170
 
资料名称:TPC8403
 
文件大小: 309.97K
   
说明
 
介绍:
Field Effect Transistor Silicon P/N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII)
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
TPC8403
2004-07-06
3
p-频道
电的 特性
(ta
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
16 v, v
DS
=
0 v
±
10
µ
一个
流 截-止 电流 I
DSS
V
DS
=
30 v, v
GS
=
0 v
10
µ
一个
V
(br) dss
I
D
=
10 毫安, v
GS
=
0 v
30
流-源 损坏 电压
V
(br) dsx
I
D
=
10 毫安, v
GS
=
20 v
15
V
门 门槛 电压 V
th
V
DS
=
10 v, i
D
=
1 毫安
1.0
2.2 v
V
GS
=
4.5 v, i
D
=
2.2 一个
66 90
流-源 在 阻抗 R
ds (在)
V
GS
=
10 v, i
D
=
2.2 一个
45 55
m
向前 转移 admittance |Y
fs
| v
DS
=
10 v, i
D
=
2.2 一个
3.1 6.2
S
输入 电容 C
iss
940
反转 转移 电容 C
rss
270
输出 电容 C
oss
V
DS
=
10 v, v
GS
=
0 v, f
=
1 mhz
390
pF
上升 时间 t
r
13
转变-在 时间 t
21
下降 时间 t
f
25
切换 时间
转变-止 时间 t
职责
<
=
1%, t
w
=
10
µ
s
73
ns
总的 门 承担
(门-源 加 门-流)
Q
g
18
门-源 承担 1 Q
gs
1
4
门-流 (“miller”) 承担 Q
gd
V
DD
24 v, v
GS
=
10 v,
I
D
=
4.5 一个
4
nC
源-流 比率 和 特性
(ta
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
流 反转 电流 脉冲波 (便条 1) I
DRP
18 一个
向前 电压 (二极管) V
DSF
I
DR
=
4.5 一个, v
GS
=
0 v
1.2 V
R
L
=
6.8
V
DD
15 v
10 v
V
GS
0 v
4.7
I
D
=
2.2 一个
V
输出
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