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tps1101, tps1101y
单独的 p-频道 增强-模式 mosfets
slvs079c – 12月 1993 – 修订 8月 1995
2
邮递 办公室 盒 655303
•
达拉斯市, 德州 75265
图式
便条 一个: 为 所有 产品, 所有 源 terminals 应当 是
连接 和 所有 流 terminals 应当 是 连接.
源
流
门
静电释放-
保护
电路系统
tps1101y 碎片 信息
这个 碎片, 当 合适的 聚集, 显示 特性 类似的 至 这 tps1101. 热的 压缩 或者
超声的 使牢固结合 将 是 使用 在 这 掺麻醉剂 铝 使牢固结合 焊盘. 这 碎片 将 是 挂载 和
传导性的 环氧的 或者 一个 金-硅 初步加工.
使牢固结合 垫子 assignments
碎片 厚度: 15 毫英寸 典型
使牢固结合 焊盘: 4
×
4 毫英寸 最小
T
J
最大值 = 150
°
C
容忍 是
±
10%
所有 维度 是 在 毫英寸
80
92
TPS1100Y
(2)
(6)
(1)
(3)
(7)
(8)
(5)(4)
DRAINSOURCE
源
源
门
流
流
流
(2)
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(6)
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tps1101, tps1101y 单独的 p-频道增强-模式 mosfets slvs079c – 12月 1993 – 修订 8月 1995 2 邮递办公室盒 655303 • 达拉斯市, 德州 75265 图式便条一个: 为所有产品, 所有源 terminals 应当是连接和所有流 terminals 应当是连接. 源流门静电释放- 保护电路系统 tps1101y 碎片信息这个碎片, 当合适的聚集, 显示特性类似的至这 tps1101. 热的压缩或者超声的使牢固结合将是使用在这掺麻醉剂铝使牢固结合焊盘. 这碎片将是挂载和传导性的环氧的或者一个金-硅初步加工. 使牢固结合垫子 assignments 碎片厚度: 15 毫英寸典型使牢固结合焊盘: 4 × 4 毫英寸最小 T J 最大值 = 150 ° C 容忍是 ± 10% 所有维度是在毫英寸 80 92 TPS1100Y (2) (6) (1) (3) (7) (8) (5)(4) DRAINSOURCE 源源门流流流 (2) (1) (3) (4) (6) (7)(8) (5)

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