晶体管 和 建造-在 电阻
1
发行 日期: 12月 2003 SJH00010CED
unr221x 序列
(un221x 序列)
硅 npn 外延的 planar 晶体管
为 数字的 电路
■
特性
•
costs 能 是 减少 通过 downsizing 的 这 设备 和
减少 的 这 号码 的 部分.
•
迷你 类型 包装 准许 容易 自动 嵌入 通过 录音带
包装 和 magazine 包装
■
阻抗 用 部分 号码
标记 标识 (r
1
)(r
2
)
•
UNR2210 (un2210) 8L 47 k
Ω
•
UNR2211 (un2211) 8A 10 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR2212 (un2212) 8B 22 k
Ω
22 k
Ω
•
UNR2213 (un2213) 8C 47 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR2214 (un2214) 8D 10 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR2215 (un2215) 8E 10 k
Ω
•
UNR2216 (un2216) 8F 4.7 k
Ω
•
UNR2217 (un2217) 8H 22 k
Ω
•
UNR2218 (un2218) 8I 0.51 k
Ω
5.1 k
Ω
•
UNR2219 (un2219) 8K 1 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR221D (un221d) 8M 47 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR221E (un221e) 8N 47 k
Ω
22 k
Ω
•
UNR221F (un221f) 8O 4.7 k
Ω
10 k
Ω
•
UNR221K (un221k) 8P 10 k
Ω
4.7 k
Ω
•
UNR221L (un221l) 8Q 4.7 k
Ω
4.7 k
Ω
•
UNR221M (un221m) EL 2.2 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR221N (un221n) EX 4.7 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR221T (un221t) EZ 22 k
Ω
47 k
Ω
•
UNR221V (un221v) FD 2.2 k
Ω
2.2 k
Ω
•
UNR221Z (un221z) FF 4.7 k
Ω
22 k
Ω
■
绝对 最大 比率
T
一个
=
25
°
C
B
R
1
R
2
C
E
内部的 连接
单位: mm
1: 根基
2: 发射级
3: 集电级
eiaj: sc-59
mini3-g1 包装
0.40
+0.10
–0.05
(0.65)
1.50
+0.25
–0.05
2.8
+0.2
–0.3
2
1
3
(0.95) (0.95)
1.9
±
0.1
2.90
+0.20
–0.05
0.16
+0.10
–0.06
0.4
±
0.2
5˚
10˚
0 至 0.1
1.1
+0.2
–0.1
1.1
+0.3
–0.1
便条) 这 部分 号码 在 这 parenthesis 显示 常规的 部分 号码.
参数 标识 比率 单位
集电级-根基 电压 (发射级 打开) V
CBO
50 V
集电级-发射级 电压 (根基 打开) V
CEO
50 V
集电级 电流 I
C
100 毫安
总的 电源 消耗
P
T
200 mW
接合面 温度 T
j
150
°
C
存储 温度 T
stg
−
55 至
+
150
°
C
: 点此下载
