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资料编号:673143
 
资料名称:UN2216
 
文件大小: 436.8K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planar transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
unr221x 序列
3
SJH00010CED
电的 特性 (持续)
T
一个
=
25
°
C
±
3
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
阻抗 比率
UNR221M R
1
/r
2
0.047
UNR221N 0.1
unr2218/2219 0.08 0.10 0.12
UNR221Z 0.21
UNR2214 0.17 0.21 0.25
UNR221T 0.47
UNR221F 0.37 0.47 0.57
UNR221V 1.0
unr2211/2212/2213/221l
0.8 1.0 1.2
UNR221K 1.70 2.13 2.60
UNR221E 1.70 2.14 2.60
UNR221D 3.7 4.7 5.7
I
C
V
CE
V
ce(sat)
I
C
h
FE
I
C
一般 特性 chart
P
T
T
一个
特性 charts 的 unr2210
0
50
100
150
200
250
0 40 80 120 160
包围的 温度 t
一个
(
°
C
)
总的 电源 消耗 p
T
(
mW
)
便条) 测量 方法是 为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c 7030 测量 方法 为 晶体管.
012210486
0
60
50
40
30
20
10
集电级-发射级 电压 v
CE
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
T
一个
=
25
°
C
I
B
=
1.0 毫安
0.1 毫安
0.3 毫安
0.4 毫安
0.5 毫安
0.6 毫安
0.7 毫安
0.8 毫安
0.9 毫安
0.01
0.1
0.1
1
10
100
1 10 100
集电级-发射级 饱和 电压 v
ce(sat)
(v)
集电级 电流 i
C
(毫安)
I
C
/ i
B
=
10
T
一个
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
0
1
100
200
300
400
10 100 1
000
向前 电流 转移 比率 h
FE
集电级 电流 i
C
(
毫安
)
V
CE
=
10 v
T
一个
=
75
°
C
25
°
C
25
°
C
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