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资料编号:673143
 
资料名称:UN2216
 
文件大小: 436.8K
   
说明
 
介绍:
Silicon NPN epitaxial planar transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
unr221x 序列
2
SJH00010CED
电的 特性
T
一个
=
25
°
C
±
3
°
C
参数 标识 情况 最小值 典型值 最大值 单位
集电级-根基 电压 (发射级 打开) V
CBO
I
C
=
10
µ
一个, i
E
=
050V
集电级-发射级 电压 (根基 打开) V
CEO
I
C
=
2 毫安, i
B
=
050V
集电级-根基 截止 电流 (发射级 打开)
I
CBO
V
CB
=
50 v, i
E
=
0 0.1
µ
一个
集电级-发射级 截止 电流 (根基 打开)
I
CEO
V
CE
=
50 v, i
B
=
0 0.5
µ
一个
发射级-根基
unr2210/2215/2216/2217
I
EBO
V
EB
=
6 v, i
C
=
0 0.01 毫安
截止 电流 UNR2213 0.1
(集电级 打开)
unr2212/2214/221d/
0.2
221e/221m/221n/221t
UNR221Z 0.4
UNR2211 0.5
unr221f/221k 1.0
UNR2219 1.5
unr2218/221l/221v 2.0
向前 电流
UNR221V h
FE
V
CE
=
10 v, i
C
=
5 毫安 6 20
转移 比率 unr2218/221k/221l 20
unr2219/221d/221f 30
UNR2211 35
unr2212/221e 60
UNR221Z 60 200
unr2213/2214/221m
80
unr221n/221t 80 400
UNR2210
*
/2215
*
/2216
*
/2217
*
160 460
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce(sat)
I
C
=
10 毫安, i
B
=
0.3 毫安 0.25 V
UNR221V I
C
=
10 毫安, i
B
=
1.5 毫安
输出 电压 高-水平的 V
OH
V
CC
=
5 v, v
B
=
0.5 v, r
L
=
1 k
4.9 V
输出 电压 低-水平的 V
OL
V
CC
=
5 v, v
B
=
2.5 v, r
L
=
1 k
0.2 V
unr2213/221k V
CC
=
5 v, v
B
=
3.5 v, r
L
=
1 k
UNR221D V
CC
=
5 v, v
B
=
10 v, r
L
=
1 k
UNR221E V
CC
=
5 v, v
B
=
6 v, r
L
=
1 k
转变 频率 f
T
V
CB
=
10 v, i
E
=
2 毫安, f
=
200 mhz 150 MHz
输入 阻抗
UNR2218 R
1
30% 0.51
+
30% k
UNR2219 1.0
unr221m/211v 2.2
unr2216/221f/221l/ 4.7
221n/221z
unr2211/2214/2215/221k
10
unr2212/2217/221t 22
unr2210/2213/221d/221e
47
分级 Q R S 非-分级
h
FE
160 至 260 210 至 340 290 至 460 160 至 460
便条) 1. 测量 方法是 为基础 在 japanese 工业的 标准 jis c 7030 测量 方法 为 晶体管.
2.
*
: 分级 分类
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