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资料编号:745146
资料名称:
2SK3569
文件大小: 150K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3569
2004-03-04
3
0
0
2
4
6
8
10
8
20
Tc
=
−
55°C
25
100
12
16
4
0
6
8
10
0
I
D
=
10 一个
4
8
12
16
20
2.5
5
4
2
0.1
0.1
1
10
100
1
10
V
GS
=
10 v
15V
0.1
10
100
0.1 1
100
25
100
Tc
=
−
55°C
1
10
10
6
4
0
8
2
0
2 4 6 8
V
GS
=
4V
4.2
4.6
4.4
4.8
5
6
10,8
10
5.1
5.3
16
12
8
4
0
20
0 20
50
V
GS
=
4 v
4.5
4.75
5
6
10
5.25
5.5
40
30 10
8
流-源 电压 v
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 i
D
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
流 电流 i
D
(一个)
R
ds (在)
– i
D
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
Ω
)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
流 电流 i
D
(一个)
Y
fs
– i
D
一般 源
V
DS
=
20 v
脉冲波 测试
向前 转移 admittance
Y
fs
(s)
流-源 电压 v
DS
(v)
I
D
– v
DS
流 电流 i
D
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
门-源 电压 v
GS
(v)
I
D
– v
GS
流 电流 i
D
(一个)
一般 源
V
DS
=
20 v
脉冲波 测试
流-源 电压 v
DS
(v)
门-源 电压 v
GS
(v)
V
DS
– v
GS
一般 源
Tc
=
25
脉冲波 测试
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