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资料编号:745146
 
资料名称:2SK3569
 
文件大小: 150K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
 
 


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2SK3569
2004-03-04
4
1
0.1
10
100
1000
10000
1 10 100
C
iss
C
oss
C
rss
160
40 0 40 80 120
80
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
I
D
=
12A
3
6
V
GS
=
10 v
0
1
2
3
5
80
40 0 40 80 120 160
4
80
40
0
0 40 80 120160
20
60
200
0
0.1
0.2
1
10
100
0.6
0.8
1.2
V
GS
=
0,
1 v
10
5
1
3
0.4
−1.0
0 10 40
V
DD
=
100 v
V
DS
V
GS
400
200
50
60
500
200
100
300
400
0
30 20
20
8
4
12
16
0
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 – v
DS
电容 c (pf)
一般 源
V
GS
=
0 v
f
=
1 mhz
Tc
=
25°C
流 电源 消耗
P
D
(w)
情况 温度 tc (°c)
P
D
– tc
流-源 电压 v
DS
(v)
I
DR
– v
DS
流 反转 电流 i
DR
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
门 门槛 电压
V
th
(v)
情况 温度 tc (°c)
V
th
– tc
一般 源
V
DS
=
10 v
I
D
=
1 毫安
脉冲波 测试
情况 温度 tc (°c)
R
ds (在)
– tc
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
)
一般 源
脉冲波 测试
门-源 电压 v
GS
(v)
总的 门 承担 Q
g
(nc)
动态 输入 / 输出
特性
流-源 电压 v
DS
(v)
一般 源
I
D
=
3 一个
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
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