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资料编号:745146
资料名称:
2SK3569
文件大小: 150K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
: 点此下载
1
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5
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本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK3569
2004-03-04
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iss
C
oss
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−
80
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1.5
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0.5
0
I
D
=
12A
3
6
V
GS
=
10 v
0
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80
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40 0
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80
40
0
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20
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0.2
1
10
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−
0.6
−
0.8
−
1.2
V
GS
=
0,
−
1 v
10
5
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3
−
0.4
−1.0
0 10
40
V
DD
=
100 v
V
DS
V
GS
400
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50
60
500
200
100
300
400
0
30 20
20
8
4
12
16
0
流-源 电压 v
DS
(v)
电容 – v
DS
电容 c (pf)
一般 源
V
GS
=
0 v
f
=
1 mhz
Tc
=
25°C
流 电源 消耗
P
D
(w)
情况 温度 tc (°c)
P
D
– tc
流-源 电压 v
DS
(v)
I
DR
– v
DS
流 反转 电流 i
DR
(一个)
一般 源
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
门 门槛 电压
V
th
(v)
情况 温度 tc (°c)
V
th
– tc
一般 源
V
DS
=
10 v
I
D
=
1 毫安
脉冲波 测试
情况 温度 tc (°c)
R
ds (在)
– tc
流-源 在 阻抗
R
ds (在)
(
Ω
)
一般 源
脉冲波 测试
门-源 电压 v
GS
(v)
总的 门 承担
Q
g
(nc)
动态 输入 / 输出
特性
流-源 电压 v
DS
(v)
一般 源
I
D
=
3 一个
Tc
=
25°C
脉冲波 测试
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