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资料编号:745146
 
资料名称:2SK3569
 
文件大小: 150K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
 
 


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2SK3569
2004-03-04
5
500
400
300
200
100
0
25 50 75 100125 150
0.01
10
0.1
1
10
100 1 10 100 1 10
T
P
DM
t
职责
=
t/t
R
th (ch-c)
=
2.78°c/w
职责=0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
0.001
0.1
1
1
10
100
10
1000
100
V
DSS
最大值
0.01
频道 温度 (最初的)
T
ch
(°c)
E
– t
ch
avalanche 活力
E
(mj)
r
th
– t
w
脉冲波 宽度 t
w
(s)
normalized 瞬时 热的
阻抗 r
th (t)
/r
th (ch-c)
职责=0.5
单独的 脉冲波
15
V
15
V
测试 电路 波 表格
I
AR
B
VDSS
V
DD
V
DS
R
G
=
25
V
DD
=
90 v, l
=
6.36mh
⋅⋅⋅=
V
DD
B
VDSS
B
VDSS
2
IL
2
1
Ε
流-源 电压 v
DS
(v)
safe 运行 范围
单独的 nonrepetitive 脉冲波
Tc=25
曲线 必须 是 derated
成直线地 和 增加 在
温度
.
I
D
最大值 (搏动)
*
I
D
最大值 (持续的)
*
直流 运作
Tc
=
25°C
100
µ
s
*
1 ms
*
流 电流 i
D
(一个)
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