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资料编号:745146
 
资料名称:2SK3569
 
文件大小: 150K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PIE-MOSVI)
 
 


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2SK3569
2004-03-04
1
toshiba 地方 效应 晶体管 硅 n 频道 mos 类型 (
π
-mosvi)
2SK3569
切换 调整器 产品
低 流-源 在 阻抗: r
ds (在)
= 0.54 (典型值.)
高 向前 转移 admittance: |y
fs
| = 8.5s (典型值.)
低 泄漏 电流: i
DSS
DS
增强-模式: v
th
= 2.0~4.0 v (v
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安)
最大 比率
(ta
=
==
=
25°c)
特性 标识 比率 单位
流-源 电压 V
DSS
600 v
流-门 电压 (r
GS
=
20 k
) v
DGR
600 v
门-源 电压 V
GSS
±
30 v
直流 (便条 1) I
D
10
流 电流
脉冲波 (t
=
1 ms)
(便条 1)
I
DP
40
一个
流 电源 消耗 (tc
=
25°c)
P
D
45 w
单独的 脉冲波 avalanche 活力
(便条 2)
E
363 mj
avalanche 电流 I
AR
10 一个
repetitive avalanche 活力 (便条 3) E
AR
4.5 mj
频道 温度 T
ch
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
-55~150 °c
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗, 频道 至 情况 R
th (ch-c)
2.78 °c/w
热的 阻抗, 频道 至 包围的 R
th (ch-一个)
62.5 °c/w
便条 1: 请 使用 设备 在 情况 那 这 频道 温度 是 在下 150°c.
便条 2: V
DD
=
90 v, t
ch
=
25°c(最初的), l
=
6.36 mh, i
AR
=
10 一个, r
G
=
25
便条 3: repetitive 比率: 脉冲波 宽度 限制 用 最大 频道 温度
这个 晶体管 是 一个 静电的 敏感的 设备. 请 handle 和 提醒.
单位: mm
1: 门
2: 流
3: 源
电子元件工业联合会
jeita sc-67
toshiba 2-10u1b
重量 : 1.7 g (典型值.)
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