LT1158
5
供应 电压 (v)
0
顶 门 上升 时间 (ns)
200
250
300
40
lt1158 g13
150
100
0
10
20
30
50
400
350
C
门
= 10000pf
C
门
= 1000pf
C
门
= 3000pf
5152535
顶 门 上升 时间 顶 门 下降 时间
供应 电压 (v)
0
顶 门 下降 时间 (ns)
200
250
300
40
lt1158 g14
150
100
0
10
20
30
50
400
350
C
门
= 10000pf
C
门
= 1000pf
C
门
= 3000pf
5152535
转变 时间 vs r
门
门 阻抗 (
Ω
)
0
转变 时间 (ns)
600
800
80
lt1158 g15
400
200
0
20
40
60
100
700
500
300
100
10 30 50
70
90
V
+
= 12v
C
门
= 3000pf
上升 时间
下降 时间
管脚 1 (boost 驱动):
recharges 和 clamps 这 自举
电容 至 14.5v 高等级的 比 管脚 13 通过 一个 外部 二极管.
管脚 2 (v
+
):
主要的 供应 管脚; 必须 是 closely decoupled 至
这 地面 管脚 7.
管脚 3 (偏差):
分离 要点 为 这 内部的 2.6v 偏差
发生器.
管脚 3 不能 有 任何 外部 直流 加载.
管脚 4 (使能):
当 left 打开, 这 lt1158 运作
正常情况下. 拉 管脚 4 低 holds 两个都 mosfets 止
regardless 的 这 输入 状态.
管脚 5 (故障):
打开 集电级 npn 输出 这个 转变 在
当 v12 – v11 超过 这 故障 传导 门槛.
管脚 6 (输入):
带去 管脚 6 高 转变 这 顶 场效应晶体管 在
和 bottom 场效应晶体管 止; 管脚 6 低 reverses 这些 states.
一个 输入 获得 俘获 各自 低 状态, ignoring 一个 ensu-
ing 高 直到 管脚 13 有 gone 在下 2.6v.
管脚 8 (bottom 门 反馈):
必须 连接 直接地 至
这 bottom 电源 场效应晶体管 门. 这 顶 场效应晶体管 转变-在
是 inhibited 直到 管脚 8 有 释放 至 1.5v. 一个 支撑-在
电流 源 也 feeds 这 bottom 门 通过 管脚 8.
管脚 9 (bottom 门 驱动):
这 高 电流 驱动 要点
为 这 bottom 场效应晶体管. 当 一个 门 电阻 是 使用, 它 是
inserted 在 管脚 9 和 这 门 的 这 场效应晶体管.
pi fu ctio s
U
UU
管脚 10 (v
+
):
bottom 一侧 驱动器 供应; 必须 是 con-
nected 至 这 一样 供应 作 管脚 2.
管脚 11 (sense 负的):
这 floating 涉及 为 这
电流 限制 比较器. connects 至 这 低 一侧 的 一个
电流 调往 或者 kelvin 含铅的 的 一个 电流-感觉到 场效应晶体管.
当 管脚 11 是 在里面 1.2v 的 v
+
, 电流 限制 是 inhibited.
管脚 12 (sense 积极的):
connects 至 这 高 一侧 的 这
电流 调往 或者 sense 含铅的 的 一个 电流-感觉到 场效应晶体管.
一个 建造-在 补偿 在 管脚 11 和 12 在 conjunction
和 r
SENSE
sets 这 顶 场效应晶体管 短的-电路 电流.
管脚 13 (顶 源):
顶 一侧 驱动器 返回; connects 至
场效应晶体管 源 和 低 一侧 的 这 自举 电容.
管脚 14 (顶 门 反馈):
必须 连接 直接地 至 这
顶 电源 场效应晶体管 门. 这 bottom 场效应晶体管 转变-在 是
inhibited 直到 v14 – v13 有 释放 至 1.75v.一个 在-
碎片 承担 打气 也 feeds 这 顶 门 通过 管脚 14.
管脚 15 (顶 门 驱动):
这 高 电流 驱动 要点 为
这 顶 场效应晶体管. 当 一个 门 电阻 是 使用, 它 是 inserted
在 管脚 15 和 这 门 的 这 场效应晶体管.
管脚 16 (boost):
顶 一侧 驱动器 供应; connects 至 这
高 一侧 的 这 自举 电容 和 至 一个 二极管 也
从 供应 (v
+
< 10v) 或者 从 管脚 1 (v
+
> 10v).
典型 perforM一个Nce 特性
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