首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:764636
 
资料名称:LT1158IS
 
文件大小: 426K
   
说明
 
介绍:
Half Bridge N-Channel Power MOSFET Driver
 
 


: 点此下载
  浏览型号LT1158IS的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号LT1158IS的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号LT1158IS的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号LT1158IS的Datasheet PDF文件第6页
6

7
浏览型号LT1158IS的Datasheet PDF文件第8页
8
浏览型号LT1158IS的Datasheet PDF文件第9页
9
浏览型号LT1158IS的Datasheet PDF文件第10页
10
浏览型号LT1158IS的Datasheet PDF文件第11页
11
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
LT1158
7
(谈及 至 函数的 图解)
whenever 那里 是 一个 输入 转变 在 管脚 6, 这 lt1158
跟随 一个 logical sequence 至 转变 止 一个 场效应晶体管 和
转变 在 这 其它. 第一, 转变-止 是 initiated, 然后 v
GS
监控 直到 它 有 decreased 在下 这 转变-止 thresh-
old, 和 最终 这 其它 门 是 转变 在. 一个 输入 获得
gets 重置 用 每 低 状态 在 管脚 6, 但是 能 仅有的 是 设置
如果 这 顶 源 管脚 有 gone 低, 表明 那 那里 将
是 sufficient 承担 在 这 自举 电容 至 safely
转变 在 这 顶 场效应晶体管.
在 顺序 至 conserve 电源, 这 门 驱动器 仅有的 提供
转变-在 电流 为 向上 至 2
µ
s, 设置 用 内部的 一个-shot
电路. 各自 lt1158 驱动器 能 deliver 500ma 为 2
µ
s, 或者
1000nc 的 门 承担––更多 比 足够的 至 转变 在
多样的 mosfets 在 并行的. once 转变 在, 各自 门 是
使保持 高 用 一个 直流 门 sustaining 电流: 这 bottom 门
用 一个 100
µ
一个 电流 源, 和 这 顶 门 用 一个 在-碎片
承担 打气 运动 在 大概 500khz.
这 floating 供应 为 这 顶 一侧 驱动器 是 提供 用
一个 自举 电容 在 这 boost 管脚 16 和 顶
源 管脚 13. 这个 电容 是 recharged 各自 时间 管脚
这 lt1158 自-使能 通过 一个 内部的 25
µ
一个 拉-向上 在
这 使能 管脚 4. 当 管脚 4 是 牵引的 向下, 更 的 这
输入 逻辑 是 无能, 减少 供应 电流 至 2ma.
和 管脚 4 低, 这 输入 状态 是 ignored 和 两个都 场效应晶体管
门 是 actively 使保持 低. 和 管脚 4 使能, 一个 或者 这
其它 的 这 2 mosfets 是 转变 在, 取决于 在 这
状态 的 这 输入 管脚 6: 高 为 顶 一侧 在, 和 低 为
bottom 一侧 在. 这 1.4v 输入 门槛 是 管制 和
有 200mv 的 hysteresis.
在 顺序 至 准许 运作 在 5v 至 30v 名义上的 供应
电压, 一个 内部的 偏差 发生器 是 运用 至 furnish
常量 偏差 电压 和 电流. 这 偏差 发生器 是
decoupled 在 管脚 3 至 eliminate 任何 影响 从 切换
过往旅客.
非 直流 加载 是 允许 在 管脚 3
.
这 顶 和 bottom 门 驱动器 在 这 lt1158 各自 utilize
二 门 连接: 1) 一个 门 驱动 管脚, 这个 提供
这 转变-在 和 转变-止 电流 通过 一个 optional
序列 门 电阻; 和 2) 一个 门 反馈 管脚 这个
connects 直接地 至 这 门 至 监控 这 门-至-源
电压 和 供应 这 直流 门 sustaining 电流.
0.01
µ
F
lt1158 tc01
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
BOOST
t 门 dr
t 门 fb
t source
SENSE
+
SENSE
V
+
b 门 dr
boost dr
V
+
BIAS
ENABLE
FAULT
INPUT
GND
b 门 fb
+
V
+
+
3000pF
1
µ
F
+
+
V16
+
V11
+
V12
3000pF
+
V8
V6
50
+
V4
3k
1/2w
150
Ω
2W
+
v14 – v13
LT1158
VN2222LL
100
10
µ
F
CLOSED
循环
2k
1/2w
测试 电路

OPERATIO
U
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com