ESMT
M12L64164A
elite 半导体 记忆 技术 公司
发行 日期
:
十一月 2005
修订
:
2.6
8/44
simplified 真实 表格
command cken-1 CKEn
CS RAS CAS
我们
DQM
A13
A12
a10/ap
A11
A9~A0
便条
寄存器 模式 寄存器 设置 H X L L L L X 运算 代号
1,2
自动 refresh H
3
Entry
H
L
L l l h x X
3
L h h h x
3
Refresh
自
Refresh
Exit L H
H x x x x
X
3
bank 起作用的 &放大; 行 地址. H X L L H H X V 行 地址
自动 precharge 使不能运转 L 4
读 &放大;
column 地址
自动 precharge 使能
h x l h l h x v
H
Column
地址
(a0~a7)
4,5
自动 precharge 使不能运转 L 4
写 &放大;
column 地址
自动 precharge 使能
h x l h l l x v
H
Column
地址
(a0~a7)
4,5
burst 停止 H X L H H L X X
6
bank 选择 V L
Precharge
所有 banks
h x l l h l x
x h
X
H x x x
entry h l
L v v v
X
时钟 suspend 或者
起作用的 电源 向下
exit l h
X x x x
X
X
H x x x
entry h l
L h h h
X
H x x x
precharge 电源 向下 模式
exit l h
L v v v
X
X
DQM H X V X 7
H x x x
非 运行 command H X
L h h h
x x
(v = 有效的 , x = don’t 小心. h = 逻辑 高 , l = 逻辑 低 )
便条 : 1.运算 代号 : 运行 代号
a0~a11 &放大; a13~a12 : 程序 keys. (@ mrs)
2.mrs 能 是 issued 仅有的 在 一个ll banks precharge 状态.
一个 新 command 能 是 issued 之后 2 clk 循环 的 mrs.
3.自动 refresh 功能 是 作 一样 作 cbr refresh 的 dram.
这 automatical precharge without 行 precharge 的 command 是 meant 用 “auto”.
自动/自 refresh 能 是 issued 仅有的 在 所有 banks 空闲 状态.
4.a13~a12 : bank 选择 地址.
如果 两个都 a13 和 a12 是 “low” 在 读 ,写 , 行 起作用的 和 precharge ,bank 一个 是 选择.
如果 两个都 a13 是 “low” 和 a12 是 “high” 在 读 ,写 , 行 起作用的 和 precharge ,bank b 是 选择.
如果 两个都 a13 是 “high” 和 a12 是 “low” 在 读 ,写 , 行 起作用的 和 precharge ,bank c 是 选择.
如果 两个都 a13 和 a12 是 “high” 在 读 ,写 , 行 起作用的 和 precharge ,bank d 是 选择
如果 a10/ap 是 “high” 在 行 precharge , a13 一个d a12 是 ignored 和 所有 banks 是 选择.
5.在 burst 读 或者 写 和 自动 precharge. 新 读/写 command 能 不 是 issued.
另一 bank 读/写 command can 是 issued 之后 这 终止 的 burst.
新 行 起作用的 的 这 有关联的 bank 能 是 issued 在 trp 之后 这 终止 的 burst.
6.burst 停止 command 是 有效的 在 每 burst 长度.
7.dqm 抽样 在 积极的 going 边缘 的 一个 clk 和 masks 这 数据-在 在 这 非常 clk (写 dqm latency 是 0), 但是
制造 hi-z 状态 这 数据-输出 的 2 clk 循环 之后.(读 dqm latency 是 2)
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