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资料编号:793016
 
资料名称:M12L64164A-5TG
 
文件大小: 730K
   
说明
 
介绍:
1M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM
 
 


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ESMT
M12L64164A
elite 半导体 记忆 技术 公司
发行 日期
:
十一月 2005
修订
:
2.6
6/44
交流 特性
(交流 运行 情况 除非 否则 指出)
-5 -6 -7
paramater 标识
最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值
单位 便条
cas latency = 3 5 6 7
clk 循环 时间
cas latency = 2
t
CC
10
-
10
-
10
- ns 1
cas latency = 3 - 4.5 - 5.5 - 6
clk 至 有效的
输出 延迟
cas latency = 2
t
SAC
- 6 - 6 - 6
ns 1,2
cas latency = 3 2.0 - 2.5 - 2.5 -
输出 数据
支撑 时间
cas latency = 2
t
OH
2.0 - 2.5 - 2.5 -
ns 2
clk 高 pulsh 宽度 t
CH
2.5 - 2.5 - 2.5 - ns 3
clk 低 pulsh 宽度 t
CL
2.5 - 2.5 - 2.5 - ns 3
输入 建制 时间 t
SS
1.5 - 1.5 - 1.5 - ns 3
输入 支撑 时间 t
SH
1 - 1 - 1 - ns 3
clk 至 输出 在 低-z t
SLZ
0 - 0 - 0 - ns 2
cas latency = 3 - 5.5 - 5.5 - 6
clk 至 输出
在 hi-z
cas latency = 2
t
SHZ
- 5.5 - 6 - 6
ns
-
便条 : 1. 参数 取决于 在 编写程序 cas latency.
2. 如果 时钟 rising 时间 是 变长 比 1ns. (tr/2 - 0.5) ns 应当 是 考虑.
3. assumed 输入 上升 和 下降 时间 (tr &放大; tf) =1ns.
如果 tr &放大; tf 是 变长 比 1ns. 瞬时时间 补偿 应当 是 考虑.
i.e., [(tr + tf)/2 – 1] ns 应当 是 增加 至 这 参数.
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