ESMT
M12L64164A
elite 半导体 记忆 技术 公司
发行 日期
:
十一月 2005
修订
:
2.6
4/44
直流 特性
推荐 运行 情况 除非 否则 指出
，
ta = 0 至 70
C
°
版本
参数
标识
测试 情况
-5 -6 -7
单位 便条
运行 电流
(一个 bank 起作用的)
I
CC1
burst 长度 = 1, t
RC
≥
t
rc(最小值)
, i
OL
= 0 毫安,
tcc = tcc(最小值)
100 85 85 毫安
1,2
I
CC2P
CKE
≤
V
il(最大值)
, tcc = tcc(最小值)
2
precharge 备用物品 电流
在 powe
r-向下 模式
I
CC2PS
cke &放大; clk
≤
V
il(最大值)
, tcc =
∞
1
毫安
I
CC2N
CKE
≥
V
ih(最小值)
, CS
≤
V
ih(最小值)
, tcc = tcc(最小值)
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 2clk
20
precharge 备用物品 电流
在 非 电源-向下 模式
I
CC2NS
CKE
≥
V
ih(最小值)
, clk
≤
V
il(最大值)
, tcc =
∞
输入 信号 是 稳固的
10
毫安
I
CC3P
CKE
≤
V
il(最大值)
, tcc = tcc(最小值)
10
起作用的 备用物品 电流
在 powe
r-向下 模式
I
CC3PS
cke &放大; clk
≤
V
il(最大值)
, tcc =
∞
10
毫安
I
CC3N
CKE
≥
V
ih(最小值)
, CS
≥
V
ih(最小值)
, tcc = tcc(最小值)
输入 信号 是 changed 一个 时间 在 2clk
30 毫安
起作用的 备用物品 电流
在 非 powe
r-向下 模式
(一个 bank 起作用的)
I
CC3NS
CKE
≥
V
ih(最小值)
, clk
≤
V
il(最大值)
, tcc =
∞
输入 信号 是 稳固的
25 毫安
运行 电流
(burst 模式)
I
CC4
I
OL
= 0 毫安, 页 burst, 所有 bank 起作用的
burst 长度 = 4, cas latency = 3
180 150 140
毫安 1,2
refresh 电流 I
CC5
t
RC
≥
t
rc(最小值)
, t
CC
= tcc(最小值)
180 150 140 毫安
自 refresh 电流 I
CC6
CKE
≤
0.2v
1 毫安
便条 : 1. 量过的 和 输出 打开.
2. 输入 信号 是 changed 一个 时间 在 2 clks.
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