ESMT
M12L64164A
elite 半导体 记忆 技术 公司
发行 日期
:
十一月 2005
修订
:
2.6
5/44
交流 运行 测试 情况
(vdd = 3.3v
±
0.3v
，
ta = 0 至 70 C
°
)
参数 值 单位
输入 水平 (vih/vil) 2.4/0.4 V
输入 定时 度量 涉及 水平的 1.4 V
输入 上升 和 下降-时间 tr/tf = 1/1 ns
输出 定时 度量 涉及 水平的 1.4 V
输出 加载 情况 看 图. 2
(图. 1) 直流 输出 加载 电路 (图. 2) 交流 输出 加载 电路
运行 交流 参数
(交流 运行 情况 除非 否则 指出)
版本
参数 标识
-5 -6 -7
单位 便条
行 起作用的 至 行 起作用的 延迟 t
rrd(最小值)
10 12 14 ns 1
RAS 至 CAS 延迟
t
rcd(最小值)
15 18 20 ns 1
行 precharge 时间 t
rp(最小值)
15 18 20 ns 1
t
ras(最小值)
38 40 42 ns 1
行 起作用的 时间
t
ras(最大值)
100 美国
@ 运行
t
rc(最小值)
53 58 63 ns 1
行 循环 时间
@ 自动 refresh t
rfc(最小值)
55 60 70 ns 1,5
last 数据 在 至 col. 地址 延迟 t
cdl(最小值)
1 clk 2
last 数据 在 至 行 precharge t
rdl(最小值)
2 clk 2
last 数据 在 至 burst 停止 t
bdl(最小值)
1 clk 2
col. 地址 至 col. 地址 延迟 t
ccd(最小值)
1 clk 3
cas latency = 3 2
号码 的 有效的
输出 数据
cas latency = 2 1
ea 4
便条 : 1. 这 最小 号码 的 时钟 循环 是 决定 用dividing 这 最小 时间 必需的 和 时钟 循环 时间 和 然后
rounding 止 至 这 next 高等级的 integer.
2. 最小 延迟 是 必需的 至 完全 和.
3. 所有 部分 准许 每 循环 column 地址 改变.
4. 在 情况 的 行 precharge interrupt, 自动 precharge 和 读 burst 停止.
5. 一个 新 command 将 是 给 t
RFC
之后 自 refresh exit.
输出
870
V
OH
(直流) =2.4v , i
OH
= -2 毫安
V
OL
(直流) =0.4v , i
OL
= 2 毫安
输出
50pF
z0 =50
50pF
50
vtt = 1.4v
3.3v
1200
Ω
Ω
Ω
Ω
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