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资料编号:83257
 
资料名称:TC55NEM216AFTN55
 
文件大小: 181.25K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON GATE CMOS
 
 


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tc55nem216aftn55,70
2002-07-04 2/11
块 图解
V
DD
i/o1
CE
i/o8
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CE
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i/o16
OE
UB
LB
a0 a1 a2 a3 a4 a5A16
CE
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i/o15
行 地址
解码器
行 地址
缓存区
行 地址
寄存器
记忆 cell 排列
2,048
×
128
×
16
(4,194,304)
数据
输入
缓存区
数据
输入
缓存区
数据
输出
缓存区
数据
输出
缓存区
sense 放大
column 地址
寄存器
column 地址
解码器
column 地址
缓存区
时钟
发生器
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