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资料编号:907981
 
资料名称:2SK1933
 
文件大小: 48K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1933
3
电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
流 至 源 损坏
电压
V
(br)dss
900 V I
D
= 10 毫安, v
GS
= 0
门 至 源 损坏
电压
V
(br)gss
±
30 V I
G
=
±
100
µ
一个, v
DS
= 0
门 至 源 leak 电流 I
GSS
——
±
10
µ
AV
GS
=
±
25 v, v
DS
= 0
零 门 电压 流 电流 I
DSS
250
µ
AV
DS
= 720 v, v
GS
= 0
门 至 源 截止 电压 V
gs(止)
2.0 3.0 V I
D
= 1 毫安, v
DS
= 10 v
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗
R
ds(在)
0.9 1.2
I
D
= 5 一个
V
GS
= 10 v*
1
向前 转移 admittance |y
fs
| 4.5 7 S I
D
= 5 一个
V
DS
= 20 v*
1
输入 电容 Ciss 2620 pF V
DS
= 10 v
输出 电容 Coss 830 pF V
GS
= 0
反转 转移 电容 Crss 320 pF f = 1 mhz
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
30 ns I
D
= 5 一个
上升 时间 t
r
140 ns V
GS
= 10 v
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
285 ns R
L
= 6
下降 时间 t
f
170 ns
身体 至 流 二极管 向前
电压
V
DF
0.9 V I
F
= 10 一个, v
GS
= 0
身体 tp 流 二极管 反转
恢复 时间
t
rr
1600 ns I
F
= 10 一个, v
GS
= 0,
di
F
/ dt = 100 一个 /
µ
s
便条 1. 脉冲波 测试
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