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资料编号:907981
 
资料名称:2SK1933
 
文件大小: 48K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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2SK1933
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0481216
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 饱和
电压 v (在) (v)
DS
流 至 源 饱和 电压
vs. 门 至 源 电压
脉冲波 测试
2 一个
i = 1 一个
D
20
5 一个
0.1
0.5 5
流 电流 i (一个)
D
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 r (在) ( )
DS
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
0.2
0.5
1
2
5
10
1 2 10 20
50
v = 10 v
GS
脉冲波 测试
2.5
2
1.5
1
0.5
0
–40 0 40 80 120
情况 温度 tc (°c)
静态的 流 至 源 在 状态
resestance r (在) ( )
DS
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 温度
脉冲波 测试
160
i = 5 一个
v = 10 v
GS
D
2 一个
1 一个
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1 0.2 0.5 1 5 102
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance
| y | (s)
fs
tc = 25°c
–25°C
75°C
脉冲波 测试
v = 20 v
DS
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