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资料编号:907981
资料名称:
2SK1933
文件大小: 48K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1933
5
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0481216
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 至 源 饱和
电压 v (在) (v)
DS
流 至 源 饱和 电压
vs. 门 至 源 电压
脉冲波 测试
2 一个
i = 1 一个
D
20
5 一个
0.1
0.5
5
流 电流 i (一个)
D
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 r (在) ( )
DS
Ω
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 流 电流
0.2
0.5
1
2
5
10
1
2
10
20
50
v = 10 v
GS
脉冲波 测试
2.5
2
1.5
1
0.5
0
–40
0
40
80
120
情况 温度 tc (°c)
静态的 流 至 源 在 状态
resestance r (在) ( )
DS
Ω
静态的 流 至 源 在 状态
阻抗 vs. 温度
脉冲波 测试
160
i = 5 一个
v = 10 v
GS
D
2 一个
1 一个
向前 转移 admittance
vs. 流 电流
50
20
10
5
2
1
0.5
0.1
0.2
0.5
1
5
102
流 电流 i (一个)
D
向前 转移 admittance
| y | (s)
fs
tc = 25°c
–25°C
75°C
脉冲波 测试
v = 20 v
DS
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