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资料编号:907981
资料名称:
2SK1933
文件大小: 48K
说明
:
介绍
:
Silicon N-Channel MOS FET
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
9
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1933
4
150
0
10050
150
电源 vs. 温度 减额
频道 消耗 pch (w)
情况 温度 tc (°c)
100
50
50
3
1
0.1
1
30
100
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
最大 safe 运作 范围
10
0.3
0.05
3
10
300
1000
10 s
µ
1 ms
直流 运作 (tc = 25°c)
100 s
µ
pw = 10 ms (1 shot)
运作
在 这个 范围 是
限制 用 r (在)
DS
30
10
8
6
4
2
0
1020304050
流 至 源 电压 v (v)
DS
流 电流 i (一个)
D
典型 输出 特性
10 v
脉冲波 测试
6 v
4 v
v = 3.5 v
GS
5 v
10
8
6
4
2
0246810
门 至 源 电压 v (v)
GS
流 电流 i (一个)
D
典型 转移 特性
脉冲波 测试
tc = 25°c
–25°C
75°C
v = 20 v
DS
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