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资料编号:907981
 
资料名称:2SK1933
 
文件大小: 48K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel MOS FET
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK1933
6
身体 至 流 二极管 反转
恢复 时间
反转 流 电流 i (一个)
DR
反转 恢复 时间 t (ns)
rr
0.1 0.2 0.5 1 2 5 10
50
100
200
500
1000
2000
5000
di/dt = 100 一个/ s, v = 0
ta = 25°c
µ
GS
典型 电容
vs. 流 至 源 电压
10000
1000
100
10
01020304050
流 至 源 电压 v (v)
DS
电容 c (pf)
Ciss
Coss
Crss
v = 0
f = 1 mhz
GS
动态 输入 特性
1000
800
600
400
200
40 80 120 160 200
20
16
12
8
4
0
门 承担 qg (nc)
流 至 源 电压 v (v)
DS
v = 250 v
400 v
600 v
DD
V
i = 8 一个
DS
D
门 至 源 电压 v (v)
GS
V
GS
0
v = 250 v
400 v
600 v
DD
切换 特性
流 电流 i (一个)
D
0.2 0.5 1 2 5 10 20
5
10
20
50
100
200
500
切换 时间 t (ns)
t
t (在)
t
t (止)
v = 10 v, v = 30 v
pw = 5 s, 职责 1%
GS
µ
DD
:
<
=
d
f
r
d
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