hyb25d256[16/40/80]0c[e/c/f/t](l)
256 Mbit 翻倍-数据-比率 SDRAM
Overview
数据 薄板 10 rev. 1.6, 2004-12
1.2 描述
这 256 Mbit 翻倍-数据-比率 sdram 是 一个 高-speed cmos, 动态 随机的-进入 记忆 containing
268,435,456 位. 它 是 内部 配置 作 一个 四方形-bank dram.
这 256 Mbit 翻倍-数据-比率 sdram 使用 一个 翻倍-数据-rate architecture 至 达到 高-速 运作.
这 翻倍 数据 比率 architecture 是 essentially 一个
2n
prefetch architecture 和 一个 接口 设计 至 转移
二 数据 words 每 时钟 循环 在 这 i/o pins. 一个 单独的 读 或者 写 进入 为 这
256 Mbit 翻倍-数据-比率 sdram effectively 组成 的 一个 单独的
2n
-位 宽, 一个 时钟 循环 数据 转移 在
这 内部的 dram 核心 和 二 相应的 n-位 宽, 一个-half-时钟-循环 数据transfers 在 这 i/o 管脚.
一个 双向的 数据 strobe (dqs) 是 transmitted externally, along 和 数据, 为 使用 在 数据 俘获 在 这 接受者.
dqs 是 一个 strobe transmitted 用 这 ddr sdram 在读 和 用 这 记忆 控制 在 写. dqs
是 边缘-排整齐 和 数据 为 读 和 中心-排整齐 和 数据 为 写.
这 256 Mbit 翻倍-数据-比率 sdram 运作从 一个 差别的 时钟 (ck 和 ck
; 这 越过 的 ck going
高 和 ck
going 低 是 涉及 至 作 这 积极的 边缘的 ck). commands (地址 和 控制 信号) 是
注册 在 每 积极的 边缘 的 ck. 输入 数据 是注册 在 两个都 edges 的 dqs, 和 输出 数据 是
关联 至 两个都 edges 的 dqs, 作 好 作 至 both edges 的 ck.读 和 写 accesses 至 这 ddr SDRAM
是 burst 朝向; accesses 开始 在 一个 选择 location 和 continue 为 一个 编写程序 号码 的 locations 在 一个
编写程序 sequence. accesses begin 和 这 registration的 一个 起作用的 command, 这个 是 然后 followed 用 一个
读 或者 写 command. 这 地址 位 注册 coincident 和 这 起作用的 command 是 使用 至 选择 这
bank 和 行 至 是 accessed. 这 地址 位 registered coincident 和 这 读 或者 写 command 是 使用
至 选择 这 bank 和 这 开始 column location 为 这 burst 进入.
这 ddr sdram 提供 为 可编程序的 读 或者 write burst 长度 的 2, 4 或者 8 locations. 一个 自动
precharge 函数 将 是 使能 至 提供 一个 自-安排时间行 precharge 那 是 initiated 在 这 终止 的 这 burst
进入. 作 和 标准 sdrams, 这 pipelined, multibank architecture 的 ddr sdrams 准许 为 concurrent
运作, 因此 供应 高有效的 带宽 用 hiding row precharge 和 触发 时间.
一个 自动 refresh 模式 是 提供 along 和 一个 电源-节省 电源-向下 模式. 所有 输入 是 兼容 和 这
电子元件工业联合会 标准 为 sstl_2. 所有 输出 是 sstl_2, 类 ii 兼容.
便条: 这 符合实际 描述 和 这 定时 specifications 包含 在 这个 数据 薄板 是 为 这 dll 使能
模式 的 运作.
表格 2 订货 信息 为 含铅的 containing 产品
产品 类型
2)
org. cas-rcd-rp
Latencies
时钟
(mhz)
cas-rcd-rp
Latencies
时钟
(mhz)
速 包装
HYB25D256800CT–5
×
8 3-3-3 200 2.5-3-3 166 DDR400B p-tsopii-66
HYB25D256160CT–5
×
16
HYB25D256800CT–6
×
8 2.5-3-3 166 2-3-3 133 DDR333
hyb25d256800ct(l)–6
×
8
HYB25D256160CT–6
×
16
HYB25D256400CT–7
×
4 143 DDR266A
HYB25D256400CC–5
×
4 3-3-3 200 2.5-3-3 166 DDR400B p-tfbga-60
HYB25D256800CC–5
×
8
HYB25D256160CC–5
×
16
HYB25D256400CC–6
×
4 2.5-3-3 166 2-3-3 133 DDR333
HYB25D256800CC–6
×
8
HYB25D256160CC–6
×
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