6.1 3
idt7164s/l
cmos 静态的 内存 64k (8k x 8-位) 军队 和 商业的 温度 范围
直流 电的 特性
(1)
(v
CC
= 5.0v
±
10%, v
LC
= 0.2v, v
HC
= v
CC
- 0.2v)
7164S15 7164S20 7164S25 7164S30
7164L15 7164L20 7164L25 7164L30
标识 参数 电源 com’l. mil. com’l. mil. com’l. mil. com’l. mil. 单位
I
CC1
运行 电源 供应 S 110 — 100 110 90 110 — 100 毫安
电流,
CS
1
= v
IL
, cs
2
= v
IH
,
输出 打开, v
CC
= 最大值., f = 0
(3)
L 100 — 90 100 80 100 — 90
I
CC2
动态 运行 电流 S 180 — 170 180 170 180 — 170 毫安
CS
1
= v
IL
, cs
2
= v
IH
,
输出 打开, v
CC
= 最大值., f = f
最大值
(3)
L 150 — 150 160 150 160 — 150
I
SB
备用物品 电源 供应 电流 S 20 — 20 20 20 20 — 20 毫安
(ttl 水平的),
CS
1
≥
V
IH
或者 cs
2
≤
V
IL
V
CC
= 最大值., 输出 打开, f = f
最大值
(3)
L 3—353 5—5
I
SB1
全部 备用物品 电源 供应 电流 S 15 — 15 20 15 20 — 20 毫安
(cmos 水平的), f = 0
(3)
, v
CC
= 最大值
1.
CS
1
≥
V
HC
和 cs
2
≥
V
HC
, 或者 L 0.2 — 0.2 1 0.2 1 — 1
2. cs
2
≤
V
LC
电容
(t
一个
= +25
°
c, f = 1.0mhz)
标识 参数
(1)
情况 最大值 单位
C
在
输入 电容 V
在
= 0v 8 pF
C
i/o
i/o 电容 V
输出
= 0v 8 pF
便条:
2967 tbl 06
1. 这个 参数 是 决定 用 设备 描绘, 但是 是 不
生产 测试.
直流 电的 特性
(1)
(持续)
(v
CC
= 5.0v
±
10%, v
LC
= 0.2v, v
HC
= v
CC
- 0.2v)
7164S35 7164S45 7164S55 7164S70
(2)
/85
(4)
7164L35 7164L45 7164L55 7164L70
(2)
/85
(4)
标识 参数 电源 com’l. mil. com’l. mil. com’l. mil. com’l. mil. 单位
I
CC1
运行 电源 供应 S 90 100 — 100 — 100 90 100 毫安
电流,
CS
1
= v
IL
, cs
2
= v
IH
,
输出 打开, v
CC
= 最大值., f = 0
(3)
L 8090—90—90 8090
I
CC2
动态 运行 电流 S 150 160 — 160 — 160 150 160 毫安
CS
1
= v
IL
, cs
2
= v
IH
,
输出 打开, v
CC
= 最大值., f = f
最大值
(3)
L 130 140 — 130 — 125 130 120
I
SB
备用物品 电源 供应 电流 S 20 20 — 20 — 20 20 20 毫安
(ttl 水平的),
CS
1
≥
V
IH
, 或者 cs
2
≤
V
IL
V
CC
= 最大值., 输出 打开, f = f
最大值
(3)
L35—5—5 35
I
SB1
全部 备用物品 电源 供应 电流 S 15 20 — 20 — 20 15 20 毫安
(cmos 水平的), f = 0
(3)
, v
CC
= 最大值
1.
CS
1
≥
V
HC
和 cs
2
≥
V
HC
, 或者 L 0.2 1 — 1 — 1 0.2 1
2. cs
2
≤
V
LC
注释:
2967 tbl 07
1. 所有 值 是 最大 有保证的 值.
2. 70 ns 有 在 两个都 军队 和 商业的 设备.
3. f
最大值
= 1/t
RC
(所有 地址 输入 是 cycling 在 f
最大值
); f = 0 意思 非 地址 输入 线条 是 changing.
4. 也 有: 100ns 军队 设备.
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