6.1 4
idt7164s/l
cmos 静态的 内存 64k (8k x 8-位) 军队 和 商业的 温度 范围
直流 电的 特性
(v
CC
= 5.0v
±
10%)
IDT7164S IDT7164L
标识 参数 测试 情况 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
|I
LI
| 输入 泄漏 电流 V
CC
= 最大值., mil. — 10 — 5
µ
一个
V
在
= 地 至 v
CC
com’l. — 5 — 2
|I
LO
| 输出 泄漏 电流 V
CC
= 最大值.,
CS
1
= v
ih,
mil. — 10 — 5
µ
一个
V
输出
= 地 至 v
CC
com’l. — 5 — 2
V
OL
输出 低 电压 I
OL
= 8ma, v
CC
= 最小值 0.4 — 0.4 V
I
OL
= 10ma, v
CC
= 最小值 — 0.5 — 0.5
V
OH
输出 高 电压 I
OH
= –4ma, v
CC
= 最小值 2.4 — 2.4 — V
交流 测试 情况
输入 脉冲波 水平 地 至 3.0v
输入 上升/下降 时间 5ns
输入 定时 涉及 水平 1.5v
输出 涉及 水平 1.5v
交流 测试 加载 看 计算数量 1 和 2
2967 tbl 10
*includes scope 和 jig capacitances
图示 2. 交流 测试 加载
(为 t
clz1,
t
CLZ2
, t
OLZ
, t
chz1,
t
CHZ2
, t
OHZ
, t
OW
, 和 t
WHZ
)
图示 1. 交流 测试 加载
数据 保持 特性 在 所有 温度 范围
(l 版本 仅有的) (v
LC
= 0.2v, v
HC
= v
CC
- 0.2v)
典型值
(1)
最大值
V
CC
@V
CC
@
标识 参数 测试 情况 最小值 2.0v 3.0v 2.0v 3.0v 单位
V
DR
V
CC
为 数据 保持 — 2.0 — — — — V
I
CCDR
数据 保持 电流 mil. — 10 15 200 300
µ
一个
com’l. — 10 15 60 90
t
CDR
(3)
碎片 deselect 至 数据 1.
CS
1
≥
V
HC
0————ns
保持 时间 CS
2
≥
V
HC
, 或者
t
R
(3)
运作 恢复 时间 2. cs
2
≤
V
LC
t
RC
(2)
————ns
|I
LI
|
(3)
输入 泄漏 电流 — — — 2 2
µ
一个
注释:
2967 tbl 09
1. T
一个
= +25
°
c.
2. t
RC
= 读 循环 时间.
3. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
2967 drw 03
480
Ω
30pF*
255
Ω
数据
输出
5V
2967 drw 04
480
Ω
5pF*
255
Ω
数据
输出
5V
2967 tbl 08
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