6.1 5
idt7164s/l
cmos 静态的 内存 64k (8k x 8-位) 军队 和 商业的 温度 范围
交流 电的 特性
(v
CC
= 5.0v
±
10%, 所有 温度 范围)
7164S15
(1)
7164S20 7164S25 7164S30
(2)
7164L15
(1)
7164L20 7164L25 7164L30
标识 参数 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 最小值 最大值 单位
读 循环
t
RC
读 循环 时间 15 — 20 — 25 — 30 — ns
t
AA
地址 进入 时间 — 15 — 19 — 25 — 29 ns
t
ACS1
(3)
碎片 选择-1 进入 tim — 15 — 20 — 25 — 30 ns
t
ACS2
(3)
碎片 选择-2 进入 时间 — 20 — 25 — 30 — 35 ns
t
clz1,2
(4)
碎片 选择-1, 2 至 输出 在 低-z 5 — 5 — 5 — 5 — ns
t
OE
输出 使能 至 输出 有效的 — 7 — 8 — 12 — 15 ns
t
OLZ
(4)
输出 使能 至 输出 在 低-z 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
chz1,2
(4)
碎片 选择-1, 2 至 输出 在 高-z — 8 — 9 — 13 — 13 ns
t
OHZ
(4)
输出 使不能运转 至 输出 在 高-z — 7 — 8 — 10 — 12 ns
t
OH
输出 支撑 从 地址 改变 5 — 5 — 5 — 5 — ns
t
PU
(4)
碎片 选择 至 电源 向上 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
PD
(4)
碎片 deselect 至 电源 向下 时间 — 15 — 20 — 25 — 30 ns
写 循环
t
WC
写 循环 时间 15 — 20 — 25 — 30 — ns
t
cw1, 2
碎片 选择 至 终止-的-写 14 — 15 — 18 — 22 — ns
t
AW
地址 有效的 至 终止-的-写 14 — 15 — 18 — 22 — ns
t
作
地址 设置-向上 时间 0 — 0 — 0 — 0 — ns
t
WP
写 脉冲波 宽度 14 — 15 — 21 — 23 — ns
t
WR1
写 恢复 时间
(
CS
1
,
我们
) 0—0—0— 0—ns
t
WR2
写 恢复 时间
(cs
2
) 5—5—5— 5—ns
t
WHZ
(4)
写 使能 至 输出 在 高-z — 6 — 8 — 10 — 12 ns
t
DW
数据 至 写 时间 overlap 8 — 10 — 13 — 13 — ns
t
DH1
数据 支撑 从 写 时间
(
CS
1
,
我们
) 0—0—0— 0—ns
t
DH2
数据 支撑 从 写 时间
(cs
2
) 5—5—5— 5—ns
t
OW
(4)
输出 起作用的 从 终止-的-写 4 — 4 — 4 — 4 — ns
注释:
2967 tbl 11
1. 0
°
至 +70
°
c 温度 范围 仅有的.
2. –55
°
c 至 +125
°
c 温度 范围 仅有的. 也 有: 100ns 军队 设备.
3. 两个都 碎片 选择 必须 是 起作用的 为 这 设备 至 是 选择.
4. 这个 参数 是 有保证的 用 设备 描绘, 但是 是 不 生产 测试.
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