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资料编号:994392
 
资料名称:IRF7309
 
文件大小: 162K
   
说明
 
介绍:
HEXFET Power MOSFET
 
 


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149
IRF7309
图 2.
典型 输出 特性,
T
J
= 150
o
C
图 1.
典型 输出 特性,
T
J
= 25
o
C
图 3.
典型 转移 特性
图 4.
normalized 在-阻抗
vs. 温度
n-频道
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , 流-至-源 电流 (一个)
D
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
DS
VGS
TOP15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM4.5V
20µsPULSEWIDTH
T=25°C
一个
4.5V
J
1
10
100
1000
0.1 1 10 100
i , 流-至-源 电流 (一个)
D
V,Dr一个in-to-SourceVoltage(V)
DS
VGS
TOP15V
10V
8.0V
7.0V
6.0V
5.5V
5.0V
BOTTOM4.5V
20µsPULSEWIDTH
T=150°C
一个
4.5V
J
10
100
4 5 6 7 8 9 10
T=25°C
T=150°C
J
J
GS
V,G一个te-to-SourceVoltage(V)
D
i , 流-至-源 电流 (一个)
一个
V=15V
20µsPULSEWIDTH
DS
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
J
T,JunctiTemper一个ture(°C)
r , 流-至-源 在 阻抗
ds(在)
(normalized)
V=10V
GS
一个
I=4.0一个
D
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