©2003 仙童 半导体 公司 isl9v3040d3s / isl9v3040s3s / isl9v3040p3 / isl9v3040s3 rev. d2, april 2003
isl9v3040d3s / isl9v3040s3s / isl9v3040p3 / isl9v3040s3
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
止 状态 特性
在 状态 特性
动态 特性
切换 特性
热的 特性
设备 标记 设备 包装 录音带 宽度 Quantity
V3040D ISL9V3040D3S 至-252aa 16mm 2500
V3040S ISL9V3040S3S 至-263ab 24mm 800
V3040P ISL9V3040P3 至-220aa - -
V3040S ISL9V3040S3 至-262aa - -
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CER
集电级 至 发射级 损坏 电压 I
C
= 2ma, v
GE
= 0,
R
G
= 1k
Ω,
看 图. 15
T
J
= -40 至 150°c
370 400 430 V
BV
CES
集电级 至 发射级 损坏 电压 I
C
= 10ma, v
GE
= 0,
R
G
= 0
,
看 图. 15
T
J
= -40 至 150°c
390 420 450 V
BV
ECS
发射级 至 集电级 损坏 电压 I
C
= -75ma, v
GE
= 0v,
T
C
= 25°c
30 - - V
BV
GES
门 至 发射级 损坏 电压 I
GES
= ± 2ma ±12 ±14 - V
I
CER
集电级 至 发射级 泄漏 电流 V
CER
= 250v,
R
G
= 1k
Ω,
看
图. 11
T
C
= 25°c - - 25 µA
T
C
= 150°c - - 1 毫安
I
ECS
发射级 至 集电级 泄漏 电流 V
EC
= 24v, 看
图. 11
T
C
= 25°c - - 1 毫安
T
C
= 150°c - - 40 毫安
R
1
序列 门 阻抗 - 70 -
Ω
R
2
门 至 发射级 阻抗 10K - 26K
Ω
V
ce(sat)
集电级 至 发射级 饱和 电压 I
C
= 6a,
V
GE
= 4v
T
C
= 25°c,
看 图. 3
- 1.25 1.60 V
V
ce(sat)
集电级 至 发射级 饱和 电压 I
C
= 10a,
V
GE
= 4.5v
T
C
= 150°c,
看 图. 4
- 1.58 1.80 V
V
ce(sat)
集电级 至 发射级 饱和 电压 I
C
= 15a,
V
GE
= 4.5v
T
C
= 150°c - 1.90 2.20 V
Q
g(在)
门 承担 I
C
= 10a, v
CE
= 12v,
V
GE
= 5v, 看 图. 14
-17-nc
V
ge(th)
门 至 发射级 门槛 电压 I
C
= 1.0ma,
V
CE
= v
ge,
看 图. 10
T
C
= 25°c 1.3 - 2.2 V
T
C
= 150°c 0.75 - 1.8 V
V
GEP
门 至 发射级 plateau 电压 I
C
= 10a,
V
CE
= 12v
-3.0- V
t
d(在)r
电流 转变-在 延迟 时间-resistive V
CE
= 14v, r
L
= 1
Ω,
V
GE
= 5v, r
G
= 1k
Ω
T
J
= 25°c, 看 图. 12
-0.74µs
t
rR
电流 上升 时间-resistive - 2.1 7 µs
t
d(止)l
电流 转变-止 延迟 时间-inductive V
CE
= 300v, l = 500µhy
,
V
GE
= 5v, r
G
= 1k
Ω
T
J
= 25°c, 看 图. 12
- 4.8 15 µs
t
fL
电流 下降 时间-inductive - 2.8 15 µs
SCIS 自 clamped inductive 切换 T
J
= 25°c, l = 3.0 mhy,
R
G
= 1k
Ω,
V
GE
= 5v, 看
图. 1 &放大; 2
- - 300 mJ
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面-情况 至-252,至-263,至-220,至-
262
--1.0°c/w
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