©2003 仙童 半导体 公司 isl9v3040d3s / isl9v3040s3s / isl9v3040p3 / isl9v3040s3 rev. d2, april 2003
isl9v3040d3s / isl9v3040s3s / isl9v3040p3 / isl9v3040s3
典型 效能 曲线
(持续)
图示 7. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 vs
集电级 电流
图示 8. 转移 特性
图示 9. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 10. 门槛 电压 vs 接合面
温度
图示 11. 泄漏 电流 vs 接合面
温度
图示 12. 切换 时间 vs 接合面
温度
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
25
15
5
0
20
10
02.01.0 3.0 4.0
V
GE
= 4.0v
V
GE
= 3.7v
V
GE
= 4.5v
V
GE
= 5.0v
V
GE
= 8.0v
T
J
= 175°c
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
2.01.0 3.0 4.0
25
15
5
0
20
10
脉冲波 持续时间 = 250µs
职责 循环 < 0.5%, v
CE
= 5v
T
J
= 25°c
T
J
= 150°c
2.51.5 3.5 4.5
T
J
= -40°c
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
T
C
, 情况 温度 (°c)
25
25 1751257550 100 150
20
15
10
5
0
V
GE
= 4.0v
2.2
17550 100
2.0
1.8
1.6
1.4
1.0
V
CE
= v
GE
V
TH
, 门槛 电压 (v)
T
J
接合面 温度 (°c)
1500-50 1257525-25
1.2
I
CE
= 1ma
泄漏 电流 (µa)
T
J
, 接合面 温度 (°c)
1000
10
0.1
10000
100
1
25-25 17512575-50 0 50 100 150
V
CES
= 250v
V
ECS
= 24v
V
CES
= 300v
25 1751257550 100 150
T
J
, 接合面 温度 (°c)
切换 时间 (µs)
12
10
8
6
4
2
I
CE
= 6.5a, v
GE
= 5v, r
G
= 1k
Ω
resistive t
止
inductive t
止
resistive t
在
: 点此下载
