©2003 仙童 半导体 公司 isl9v3040d3s / isl9v3040s3s / isl9v3040p3 / isl9v3040s3 rev. d2, april 2003
isl9v3040d3s / isl9v3040s3s / isl9v3040p3 / isl9v3040s3
典型 效能 曲线
(持续)
图示 1. 自 clamped inductive 切换
电流 vs 时间 在 clamp
图示 2. 自 clamped inductive 切换
电流 vs 电感
图示 3. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 vs
接合面 温度
图示 4. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
vs 接合面 温度
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 vs
集电级 电流
图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
vs 集电级 电流
t
CLP
, 时间 在 clamp (µs)
I
SCIS
, inductive 切换 电流 (一个)
25
15
5
30
20
10
0
R
G
= 1k
Ω
, v
GE
= 5v,v
dd
= 14v
20017515001255025 75 100
T
J
= 25°c
T
J
= 150°c
scis 曲线 有效的 为 v
clamp
电压 的 <430v
25
15
5
30
20
10
0
I
SCIS
, inductive 切换 电流 (一个)
0102468
T
J
= 25°c
T
J
= 150°c
l, 电感 (mhy)
R
G
= 1k
Ω
, v
GE
= 5v,v
dd
= 14v
scis 曲线 有效的 为 v
clamp
电压 的 <430v
1.30
1.26
1.22
1.18
1.14
-75 25-25 17512575-50 0 50 100 150
T
J
, 接合面 温度 (°c)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
V
GE
= 4.0v
V
GE
= 3.7v
V
GE
= 4.5v
V
GE
= 5.0v
V
GE
= 8.0v
I
CE
= 6a
-75 25-25 17512575-50 0 50 100 150
1.8
1.7
1.6
1.5
1.4
T
J
, 接合面 温度 (°c)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
= 10a
1.3
1.2
V
GE
= 4.0v
V
GE
= 3.7v
V
GE
= 4.5v
V
GE
= 5.0v
V
GE
= 8.0v
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
20
0
10
02.01.0 3.0 4.0
25
15
5
T
J
= - 40°c
V
GE
= 4.0v
V
GE
= 3.7v
V
GE
= 4.5v
V
GE
= 5.0v
V
GE
= 8.0v
V
GE
= 4.0v
V
GE
= 3.7v
V
GE
= 4.5v
V
GE
= 5.0v
V
GE
= 8.0v
T
J
= 25°c
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
20
10
0
25
15
5
02.01.0 3.0 4.0
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